پیشنهاد‌های افشین رشید (٢٥١)

در�نانو ذرات، پالسمون سطحی در فضای محدودی قرار میگیرد، به گونهای که الکترونها در این فضای کوچک و در مسیر یکسان به سمت عقب و�جلو نوسان میکنند. این اثر ...

یکی از عواقب اثر LSPR در نانو ذرات فلزی، قابلیت جذب فوق العاده امواج مرئی به دلیل نوسانات منسجم پالسمونها است. کلوئیدهای نانو ذرات فلزی مانند نقره یا ...

به طور مشابه، اثرات LSPR به سایر تغییرات نیز مانند فاصله بین نانو ذرات که�میتواند با حضور سورفکتانتها یا یونها تغییر کند، حساس است.

نانو Nanosilica پتانسیل زیادی برای انواع کاربرد های تشخیصی و عمومی ، صنعتی هستند. بر خلاف خود سیلیکات اندازه میکرون متبلور ، اطلاعات نسبتاً کمی در مو ...

به اندازه ی ذرات سیلیس زیر ۳۰۰ نانو متر ، نانو سیلیس گویند. اندازه ی سیلیس بالای این مقدار اصطلاحا ساب ماکرون ( زیر میکرون ) گفته میشود. نانو سلیس به ...

نانو ذرات نیمه هادی ESD الکترو استاتیک با استفاده از فرآیند اسپری الکترو ساخته شد. روش رسوب اسپری الکترو ( ESD ) یکی از مراحل آماده سازی ذرات از مسیر ...

نانو "سیم های کوانتومی" از مکانیک کوانتومی برای تولید نانو سیم هایی با طیف وسیعی از خصوصیات الکتریکی منحصر به فرد بهره برداری می کنند.

نانو سیم های دوپ شده به تنهایی نمی توانند حرکت الکترون ها را کنترل کند ، بنابراین ناخالصی باید در فرآیندی به نام دوپینگ ، به طور معمول با بور ، فسفر ...

نانو ذرات نیکل NI_nanoparticle رسانای قوی جریان برق است و سطح آن براق و صیقلی است. این عنصر از گروه عناصر آهن و کبالت است .

روش های بسیاری برای تولید نانو ذرات الکتریکی یا ذرات نانو الکترونیکی ساختار توسعه یافته اند که شامل فرایند های حالت بخار، مایع و جامد است. به طور کلی ...

در اثر واپاشی نانو ذرات رادیواکتیو Radioactive nano particle decay mode پس از یک زمان تصادفی، هسته های بزرگ به هسته های کوچکتر و معمولاً پایدارتر تجز ...

اعمال ولتاژ مخالف به گیت Gate ترانزیستور nMOS با اعمال یک ولتاژ به دوسر ( گیت _ سورس ) سبب میشود که سد PN را در گرایش معکوس قرار دهیم. ترانزیستور nMO ...

با سری کردن دو نوع EMOSFET با کانال N و P ترانزیستوری مانند pMOS ساخته می شود. ساختار و ساختمان کریستالی pMOS وقتی مانند یک کلید عمل میکند ، وقتی ولت ...

ساختار و ساختمان کریستالی CMOS وقتی مانند یک کلید عمل میکند ، وقتی ولتاژ پایین میباشد کلید وصل و در ولتاژ بالا قطع و مانند کلیدی باز عمل میکند و خروج ...

فتو - ترانزیستور ها بیس بزرگتری دارند و ناحیه ی کلکتور شبیه به ترانزیستور های عادی است. به طور کلی اسن قطعات با استفاده از انتشار و القای یون ساخته ش ...

ترانزیستور اتصال دهنده ( transistor pinout ) که برای عملیات اتصال دهنده جریان در مدارهای پردازش سیگنال و گیرنده های مخابراتی استفاده شناخته شده است. ...

ترانزیستور دارلینگتون Darlington به یک آرایش خاص از دو NPN و یاPNP ترانزیستور دو قطبی استاندارد اتصال ( BJT ) متصل به هم است. اِمیتر یک ترانزیستور به ...

ترانزیستور ( آوالانش Avalanche ) یک نوعی از ترانزیستور دو قطبی میباشد. که به طور خاص برای این منظور طراحی نشده اند. اما می توانند با ویژگی های شکست و ...

عملکرد ترانزیستور شیلد شده ( shielded transistor ) برای ساختار های متجانس ( homo - structure ) که در آن از ماده ی یکسانی درون قطعه استفاده می شود، می ...

نکته: ترانزیستور گرافنی hBCN در مدار بسیار رسانا است و بنابراین برای کاربرد های الکترونیکی ایده آل است. با این حال، رسانایی بسیار بالای آن نیز میتوان ...

ترانزیستور PUT یا ( Programmable Unijunction Transistor ) قابل برنامه ریزی، از چهار قطعه نیمه هادی نوع P وN تشــکیل شده است . پایه های یک PUT را ، آن ...

شِبهِ ترانزیستور تونل اثر میدانی ترانزیستور ( TFET ) یک نوع تجربی ترانزیستور می باشد. حتی اگر ساختار آن بسیار شبیه به یک ترانزیستور تأثیر میدان نیمه ...

نیمه هادی های نوع N دارای الکترونهای آزاد و نیمه هادی نوع P دارای تعداد زیادی حفره ( Hole ) آزاد می باشند. بطور ساده می توان منظور از حفره آزاد را فض ...

ترانزیستور های اولیه از دو پیوند نیمه هادی تشکیل شده اند و بر حسب آنکه چگونه این پیوند ها به یکدیگر متصل شده باشند می توان آنها را به دو نوع اصلی PNP ...

در ساختار الکتریکی هیبریداسیون ( نانو لوله فلزی ) واکنش با گاز هیدروژن و فلوئور، با وارد SP3 ، ساختار الکتریکی کردن هیبریداسیون نانولوله فلزی را به ن ...

در نانو لوله ها هر سه اتم کربن قابلیت ذخیره یک یون لیتیم را دارند در حالی که در گرافیت هر شش اتم کربن توانایی ذخیره یک یون لیتیم را دارند. همچنین توا ...

در ساختمان داخلی میکروپروسسور ها خانواده منطقی ترانزیستور - ترانزیستور گونه تکامل یافته تکنولوژی قدیمی تری است که در آن از دیود و ترانزیستور برای ساخ ...

در میکروپروسسور ها TTL یک خانواده متداول است که سالها مورد استفاده بوده و به عنوان استاندارد تلقی می شود.

برای نانو سنسور ها یک فرآیند نانو حساسیت به پلاسمونی شامل تعامل پیچیده سه عنصر در بین فوتون ها ، مولکول ها و نانو ساختار ها است. ، نانو پس ها ، نانو ...

نیروگاه های حرارتی خورشیدی از نوع سهموی خطی در این نیروگاه ها ، از منعکس کننده هایی که به صورت سهموی خطی می باشند جهت تمرکز پرتوهای خورشید در خط کانو ...

در این نیروگاههای پرتوهای خورشیدی توسط مزرعه ای متشکل از تعداد زیادی آینه منعکس کننده بنام هلیوستات بر روی یک دریافت کننده که در بالای برج نسبتاً بلن ...

در این نیروگاه ها از منعکس کننده هایی که به صورت شلجمی بشقابی میباشد جهت تمرکز نقطه ای پرتو های خورشید استفاده میگردد و گیرندهای که در کانون قرار میگ ...

یک مدل انرژی - معادل برای خواص مکانیکی و ساختار نانو مولکولی لایه اسپاترنیگ مواد به کار گرفته میشود خواص ماکروسکوپی نانو ذرات همانند نقطه ذوب، نقطه ج ...

این روش تکثیر جریان بزرگی را از دو الکترود کربنی در فضای حاوی ماده پلاسما عبور می دهند . که این امر منجر به ایجاد جرقه در شکاف بین دو الکترود می شود

چهار ایزومر C 96 ، بالاترین فولرن تو خالی موجود در غشای نانو لوله های کربنی CNT و CNTs است. بخشهای C 96 ، که با بازیافت از دوده فولرن جدا شده است دار ...

( نانو فولِرهای اندوهیستال ) می توانند به عنوان ابر رساناها از طریق رسانای نیمه هادی رفتار کنند و انتقال دهنده های رادیکال استثنایی هستند. دوام شدید، ...

استفاده از این روش برای سنجش فراوانی نانو لوله ها در یک نمونه بسیار متداول است. در این تکنیک وقتی انرژی لیزر برابر و یا نزدیک انرژی انتقال الکترونی م ...

هریک از لایه های نیمه هادی که در یک ترانزیستور p_Chanel وجود دارد یک پایه در نظر گرفته شده است که ارتباط مدار بیرونی را به نیمه هادی ها میسر می سازد. ...

ترانزیستور JFET ؛ دارای سه پایه با نام های گیت ( Gate ) ، درین ( Drain ) و سورس ( Source ) هستد. اگر به پایه ی سورس و درین، ولتاژی متصل کنیم، دقیقا م ...

ترانزیستور دو قطبی پیوندی BJT ، یک گزینه عالی برای تقویت کننده های خطی سیگنال کوچک است، زیرا امپدانس ورودی آن بسیار زیاد است که بایاس آن را ساده می ک ...

در ساختمان تشکیل دهنده نانو ساختار های ( نانو پلاسمونیک ) حجم ایجاد شده میدان الکترومغناطیسی به صورت موضعی ، فشرده و بهبود یافته است. تغیرات اندک در ...

ویژگیهای نانو مواد چند بعدی انعطاف پذیر sTMD در ابعاد نانو نیمه هادی مدرن باعث تحول در فن آوری های گسترده ای از قبیل الکترونیک ، روشنایی ، انرژی خورش ...

بازه ی 1 تا 1000nm را به عنوان محدوده یمحدوده ی نانو ساختار اِلکتریکی خود سازمان دِهی شده DND معرفی میشود ، ویژگی مهم نانو ساختار ها کنترل فرآیند های ...

�ترانزیستور اثر میدان نیمه رسانای اکسید فلز� ( Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ) یا ماسفت، یک گزینه عالی برای تقویت کننده های خطی س ...

مقاومت های وابسته به نور و یا فتورزیستور، با شدت نور تغییر مقدار می دهند یعنی هرچه نور بیشتری به آن تابیده شود مقدار مقاومت کمتری خواهند داشت ( مقاوم ...

ولتاژ هایی VCC معمولا دارای شاخه هایی می باشند. به طور کلی Vcc باید یک ولتاژ صاف و پایدار ( 5 ولت یا زیر 5 ولت، بسته به مدار های تغذیه و . . ) باشد، ...

با استفاده از نقطه تست پوینت ولتاژ و نقشه مدار الکتریکی میتوان مسیر ولتاژ را به مدارهای خاموش انتقال داد و برد معیوب الکترونیکی را دوباره راه اندازی ...

فقط خطوط BUS موافق و BUS دو طرفه ولتاژ ؛ برای مسیر دیتا در برد های الکترونیکی و یا v core یا ViO امکان پذیر نیست چون سیم مسی دیتا را منتقل نمیکند.

تراشه های EPROM که از نور فرابنفش استفاده می کنند از دستگاه های محافظ محافظ برای محافظت از کاربران در برابر اثرات بالقوه خطرناک یا سرطان زا استفاده م ...

آیسی حافظه UV - EPROM برای پاک سازی برنامه قبلی و برنامه ریزی دوباره از نور UV با دستگاه مخصوص پروگرامر استفاده میکند. این آیسی حافظه حافظه قابل برنا ...