ناکاملی بلوری در الماس

نواقص در شبکه کریستالی الماس شایع است. این عیب ها ممکن است به دلیل بی نظمی های شبکه یا جایگزینی بیرونی یا ناخالصی های بینابینی باشد که در طول یا بعد از رشد الماس به وجود می آید. . این عیب های روی خواص مواد الماس تأثیر می گذارد و تعیین می کند که الماس به کدام نوع اختصاص دارد . همانطور که ساختار نوار الکترونیکی توضیح داده است، بیشترین تأثیر بر روی رنگ الماس و رسانایی الکتریکی است.
عیوب را می توان با انواع مختلف طیف سنجی، از جمله تشدید پارامغناطیس الکترونی ( EPR ) ، تابناکی ناشی از نور ( نور تابناکی، PL ) یا پرتو الکترونی ( کاتدولومینسانس، CL ) ، و جذب نور در مادون قرمز ( IR ) ، مرئی و قسمت های UV طیف طیف جذب شناسایی نمود. این عیوب برای تخمین غلظت هم مورد استفاده قرار می گیرند. همچنین می تواند الماس طبیعی را از مصنوعی یا تقویت شده تشخیص دهد. [ ۱]
سنتی در طیف سنجی الماس وجود دارد که طیف ناشی از نقص را با علامت اختصاری شماره گذاری می کند ( مانند GR1 ) . به طور کلی این سنت با انحرافات چشمگیری مانند مراکز الف، ب و ج همراه است. هرچند بسیاری ازاین کلمات مخفف شده هم گیج کننده هستند: [ ۲]
• برخی از نمادها خیلی به هم شبیه هستند ( به عنوان مثال، 3H و H3 ) .
• به طوراتفاقی، همان برچسب ها به مراکز مختلف که توسط EPR و تکنیک های نوری شناسایی شده بودند داده شد ( به عنوان مثال، مرکز N3 EPR و مرکز نوری N3 هیچ ارتباطی ندارند ) . [ ۳]
• در حالی که برخی از کلمات اختصاری منطقی هستند، مانند N3 ( N برای طبیعی، که در الماس طبیعی مشاهده می شود ) یا H3 ( H برای گرم، یعنی مشاهده شده پس از تابش و گرمایش ) ، بسیاری از آنها این گونه نیستند. به طور خاص، هیچ تمایز واضحی بین معنای برچسب های GR ( تابش عمومی ) ، R ( تابش ) و TR ( تابش نوع II ) وجود ندارد. [ ۴]
تقارن نقص در کریستال ها توسط گروه های نقطه ای بیان می شود. آنها با گروه های فضایی که تقارن کریستال ها را بدون ترجمه شرح می دهند متفاوت هستند و بدین ترتیب تعداد آنها بسیار کمتراست. . تنها نقصی که از تقارن درالماس تاکنون مشاهده شده است عبارت است از: چهار ضلعی ( T د ) ، تتراگونال ( 2D D ) ، زمینهای نرم ( D 3D، 3V C ) ، لوزی ( C 2V ) ، مونو. کلینیک ( C 2H، C 1H، C 2 ) و تری کلینیک ( C 1 یا C S ) . [ ۲]
تقارن نقص امکان پیش بینی بسیاری از خواص نوری را فراهم می کند. به طور مثال، جذب یک فونون ( مادون قرمز ) در شبکه الماس خالص ممنوع است زیرا شبکه مرکز وارونگی دارد. به هر حال، معرفی هر گونه نقص ( حتی بسیار متقارن، مثل جفت جایگزینی N - N ) تقارن کریستالی را می شکند که باعث میشود مادون قرمز ناشی از این نقص جذب شود ، که معمول ترین ابزار برای اندازه گیری غلظت نقص در الماس می باشد. [ ۴]