مقاومت نوری

مقاومت نوری یا ال دی آر نوعی مقاومت است که مقاومت الکتریکی آن بر اثر افزایش شدت نور تابیده شده بر آن کاهش می یابد، به عبارت دیگر از خود فوتورسانندگی نمایش مواد مقاومت بالا تشکیل شده اند و در صورتی که نور تابیده شده بر روی آن از بسامد کافی برخوردار باشد، فوتون های جذب شده توسط نیمه رسانا به الکترون های وابسته اش انرژی کافی برای جهش به نوار رسانش را می دهند. الکترون آزاد به دست آمده و حفره های حاصل جریان الکتریکی را هدایت می کنند و به این شکل مقاومت الکتریکی کاهش می یابد.
مقاومت های نوری ممکن است ذاتی یا مصنوعی باشند. یک نیمه رسانای ذاتی، مانند سیلیکون، تنها حامل های بار خودش را دارد و نیمه رسانای کارامدی نیست. در این نیمه رساناها تنها الکترون های در دسترس در لایهٔ والانس هستند و بنابراین فوتون ها باید انرژی کافی برای تحریک الکترون در طول نوار ممنوعه را داشته باشند. نیمه رساناهای غیر ذاتی یا مصنوعی ناخالصی هایی دارند که کمترین انرژی الکترون های آن ها به انرژی لایهٔ رسانش نزدیک تر است و چون نیاز نیست الکترون ها فاصلهٔ زیادی را جهش کنند، فوتون هایی با انرژی کمتر ( یعنی با طول موج بیشتر و فرکانس کمتر ) برای کاهش مقاومت کافی خواهند بود. برای نمونه اگر برخی از اتم های سیلیکون را با فسفر ( ناخالصی ) جایگزین کنیم، الکترون های بیشتری برای رسانش در دسترس خواهند بود و نیمه رسانای حاصل یک نیمه رسانای غیر ذاتی محسوب می شود.