قطعه چندگیتی

یک قطعه چندگیتی، ماسفت چندگیتی یا ترانزیستور اثر میدانی چندگیتی ( MuGFET ) به یک ماسفت ( ترانزیستور اثر میدانی فلز - اکسید و نیم رسانا ) اشاره دارد که شامل بیش از یک گیت در یک قطعه تکی است. گیت های متعدد ممکن است توسط یک پایه گیت واحد کنترل شود، که در آن چندین سطح گیت از نظر الکتریکی به عنوان یک گیت منفرد یا توسط الکترودهای گیت مستقل عمل کنند. یک قطعه چندگیتی از پایه های گیتی مستقل استفاده می کند، گاهی ترانزیستور اثر میدانی چند گیت مستقل ( MIGFET ) نامیده می شود. پرکاربردترین ادوات چندگیتی عبارتند از فین فت ( ترانزیستور اثر میدانی باله دار ) و جی ای ای فت ( ترانزیستور اثر میدان آویستان گیت ) که ترانزیستورهای غیر - مسطح یا ترانزیستورهای سه بعدی هستند.
ترانزیستورهای چندگیتی یکی از چندین استراتژی است که توسط تولیدکنندگان نیم رسانا ماس برای ایجادریزپردازندهها و سلول های حافظه کوچک تر در حال توسعه است، که درگفتگو به عنوان قانون مور گسترش می یابد. [ ۱] تلاش های توسعه ای برای ترانزیستورهای چندگیتی توسط آزمایشگاه الکتروتکنیک، توشیبا، گرنوبل آی ان پی، هیتاچی، تی اس ام سی، آی بی ام، یوسی برکلی ، اینتل، اینفینئون، ای ام دی، سامسونگ الکترونیک، مؤسسه علم و فناوری پیشرفته کره، نیم رسانای فری اسکیل و سایر موارد گزارش شده است و آی تی آراس به طور صحیح پیش بینی کرده است که چنین ادواتی سنگ بنای زیر فناوری زیر ۳۲ نانومتر خواهد بود[ ۲] راه بند اصلی پیاده سازی گسترده توان تولید در مقیاس صنعتی است، زیرا هر دو طرح مسطح و غیرمسطح چالش های مهمی را ایجاد می کنند، به خصوص در رابطه با طرح نگار نوری و الگوبرداری. سایر راهکارهای مکمل برای مقیاس بندی قطعه شامل مهندسی کرنش کانال، فناوری های مبتنی بر سیلیکون بر روی عایق و مواد دروازه فلزی دی الکتریک با کاپای زیاد است.
ماسفت های دوگِیتی معمولاً در مخلوط کننده های با بسامد بسیار بالا ( VHF ) و در تقویت کننده های پیشروی VHF حساس استفاده می شوند. آنها از تولیدکننده هایی مانند موتورولا، ان ایکس پی و هیتاچی در دسترس هستند. [ ۳] [ ۴] [ ۵]
دوجین ترانزیستور چندگیتی گوناگون در مراجع یافت می شود. به طور کلی، این گونه ها ممکن است از نظر معماری ( مسطح در مقابل طراحی غیرمسطح ) و تعداد کانال ها/ دروازه ها ( ۲، ۳ یا ۴ ) متفاوت، طبقه بندی شوند.