سلول حافظه ( به انگلیسی: Memory Cell ) واحد اصلی تشکیل دهنده حافظه رایانه است. سلول حافظه یک مدار الکترونیکی است که یک بیت دادهٔ دودویی را ذخیره می کند. برای ذخیره بیت یک ( سطح ولتاژ بالا ) ، مدار در وضعیت «تنظیم»، و برای ذخیره بیت صفر ( سطح ولتاژ پایین ) ، مدار در وضعیت «تنظیم مجدد» قرار می گیرد. هر مقدار تا رسیدن دستور بعدی باقی می ماند و قابل خواندن است.
تا به امروز سلول های حافظه مختلفی مورد استفاده قرار گرفته اند، از جمله حافظهٔ هسته ای و حافظهٔ حبابی. امروزه رایج ترین سلول حافظه مورد استفاده حافظهٔ MOS ( حافظهٔ نیمه هادی ) است که شامل سلول های حافظهٔ نیمه رسانای اکسید - فلز است. حافظه های دسترسی تصادفی ( RAM: Random Access Memory ) از ترانزیستورهای اثر میدانی به عنوان فلیپ فلاپ به همراه خازن های نیمه رسانای اکسید - فلز استفاده می کنند.
سلول های حافظهٔ SRAM ( رَم ایستا ) درواقع نوعی مدار فلیپ فلاپ است که با کمک ماسفت های اجرا شده است. این حافظه های به توان اندکی جهت نگهداری حافظهٔ ذخیره شده هنگام اختلال دسترسی نیاز دارند. نوعی دیگر این سلول ها، DRAM، ( رَم پویا ) بر اساس خازن های نیمه هادی اکسید - فلز هستند. شارژ و دشارژ یک خازن می تواند منجر به ذخیره شدن بیت "۱" و "۰" شود. شارژ این خازن ها می تواند به مرور نشت کند و به همین دلیل احتیاج به تجدید دوره ای دارد. همین دورهٔ تجدید می تواند باعث افزایش مصرف انرژی شود. با این وجود، می تواند به چگالی حافظه بزرگتری دسترسی پیدا کند.
از سوی دیگر، بیشتر حافظه های غیرفرار ( NVM ) بر اساس سلول های حافظهٔ ماسفت با گیت شناور ( در این ماسفت ها، گیت یک الکترود مجزا دارد، که هنگام قطع انرژی همچنان شارژ را در خود نگه می دارد ) ساخته شده اند. تکنولوژی حافظه های غیر فرار شامل، EEROM, EPROM و حافظه فلش از سلول های حافظه با گیت شناور استفاده می کنند.
سلول حافظه واحد اصلی تشکیل دهنده حافظهٔ کامپیوتر است. سلول حافظه را می توان با به کارگیری تکنولوژی های مختلفی مانند نیمه هادی ها، ماسفت و ترانزیستور پیوندی دوقطبی ساخت. یکی دیگر از روش های ساخت سلول های حافظه استفاده از مواد با خاصیت مغناطیسی مانند آهنرباهای فریت است. [ ۱] صرف نظر از تکنولوژی به کار رفته، هدف سلول حافظه دودویی همواره یکسان است. یک بیت داده دودویی با امکان خواندن، ذخیره می شود. بیت یک ( سطح ولتاژ بالا ) ، در وضعیت «تنظیم» ( به انگلیسی: Set ) و بیت صفر ( سطح ولتاژ پایین ) در وضعیت «تنظیم مجدد» ( به انگلیسی: Reset ) ذخیره می شود. [ ۲]
این نوشته برگرفته از سایت ویکی پدیا می باشد، اگر نادرست یا توهین آمیز است، لطفا گزارش دهید: گزارش تخلفتا به امروز سلول های حافظه مختلفی مورد استفاده قرار گرفته اند، از جمله حافظهٔ هسته ای و حافظهٔ حبابی. امروزه رایج ترین سلول حافظه مورد استفاده حافظهٔ MOS ( حافظهٔ نیمه هادی ) است که شامل سلول های حافظهٔ نیمه رسانای اکسید - فلز است. حافظه های دسترسی تصادفی ( RAM: Random Access Memory ) از ترانزیستورهای اثر میدانی به عنوان فلیپ فلاپ به همراه خازن های نیمه رسانای اکسید - فلز استفاده می کنند.
سلول های حافظهٔ SRAM ( رَم ایستا ) درواقع نوعی مدار فلیپ فلاپ است که با کمک ماسفت های اجرا شده است. این حافظه های به توان اندکی جهت نگهداری حافظهٔ ذخیره شده هنگام اختلال دسترسی نیاز دارند. نوعی دیگر این سلول ها، DRAM، ( رَم پویا ) بر اساس خازن های نیمه هادی اکسید - فلز هستند. شارژ و دشارژ یک خازن می تواند منجر به ذخیره شدن بیت "۱" و "۰" شود. شارژ این خازن ها می تواند به مرور نشت کند و به همین دلیل احتیاج به تجدید دوره ای دارد. همین دورهٔ تجدید می تواند باعث افزایش مصرف انرژی شود. با این وجود، می تواند به چگالی حافظه بزرگتری دسترسی پیدا کند.
از سوی دیگر، بیشتر حافظه های غیرفرار ( NVM ) بر اساس سلول های حافظهٔ ماسفت با گیت شناور ( در این ماسفت ها، گیت یک الکترود مجزا دارد، که هنگام قطع انرژی همچنان شارژ را در خود نگه می دارد ) ساخته شده اند. تکنولوژی حافظه های غیر فرار شامل، EEROM, EPROM و حافظه فلش از سلول های حافظه با گیت شناور استفاده می کنند.
سلول حافظه واحد اصلی تشکیل دهنده حافظهٔ کامپیوتر است. سلول حافظه را می توان با به کارگیری تکنولوژی های مختلفی مانند نیمه هادی ها، ماسفت و ترانزیستور پیوندی دوقطبی ساخت. یکی دیگر از روش های ساخت سلول های حافظه استفاده از مواد با خاصیت مغناطیسی مانند آهنرباهای فریت است. [ ۱] صرف نظر از تکنولوژی به کار رفته، هدف سلول حافظه دودویی همواره یکسان است. یک بیت داده دودویی با امکان خواندن، ذخیره می شود. بیت یک ( سطح ولتاژ بالا ) ، در وضعیت «تنظیم» ( به انگلیسی: Set ) و بیت صفر ( سطح ولتاژ پایین ) در وضعیت «تنظیم مجدد» ( به انگلیسی: Reset ) ذخیره می شود. [ ۲]
wiki: سلول حافظه