دامنه ضد فاز نوعی نقص کریستالوگرافی مسطح است که در آن اتم های درون ناحیه ای از یک کریستال به ترتیب مخالف اتم های موجود در سیستم شبکه کامل پیکربندی می شوند. در طول کل دامنه ضد فاز، اتم ها در مکان هایی قرار می گیرند که معمولاً توسط اتم های گونه های مختلف اشغال شده اند. به عنوان مثال، در یک آلیاژ AB مرتب شده، اگر یک اتم A جایی را که معمولاً توسط یک اتم B اشغال شده است اشغال کند، یک نوع نقص نقطه کریستالوگرافی به نام نقص آنتی سایت تشکیل می شود. اگر یک ناحیه کامل از کریستال به گونه ای انتقال داده شود که هر اتم در ناحیه ای از صفحه اتم ها روی آنتی سایت خود بنشیند، یک دامنه ضد فاز تشکیل می شود. به عبارت دیگر، یک دامنه ضد فاز ناحیه ای است که از نقص آنتی سایت یک شبکه والد تشکیل شده است. در دو طرف این دامنه، شبکه هنوز کامل است و مرزهای دامنه به عنوان مرزهای ضد فاز شناخته می شوند. مهمتر از همه، کریستال ها در دو طرف یک مرز ضد فاز به جای یک بازتاب ( یک دوقلو کریستالی ) یا یک وارونگی ( یک دامنه وارونگی ) با یک انتقال مرتبط هستند.
این عیوب مسطح شبیه نقص انباشتگی هستند زیرا اغلب از طریق لغزش صفحات اتمی و حرکت نابجایی ایجاد می شوند، اما درجه انتقال متفاوت است. در نقص های انباشتگی، ناحیه عدم تطابق انباشتگی توسط دو جابجاشدگی جزئی محدود می شود و یک نابجایی گسترده تشکیل می شود. برای دامنه های ضد فاز که فقط بی نظمی شیمیایی را نشان می دهند، این ناحیه توسط دو نقص انباشتگی پیچیده محدود می شود که هم انباشتگی و هم بی نظمی شیمیایی را نشان می دهند؛ بنابراین، برای بازیابی کامل نظم کریستال، ۴ نابجایی جزئی لازم است. این موارد را می توان در شکل ۱ و ۲ زیر مشاهده کرد. عرض این نواحی با توازن نیرو بین دافعه نابجایی های جزئی با علامت مشابه و انرژی سطحی مناطق تعیین می شود. با افزایش انرژی سطح مرزی ضد فاز، درجه جدایی بین نابجایی های جزئی برای جبران کاهش می یابد.
شکل ۱: این شکل دو لایه اتم را در یک کریستال Ni3Al، یک آلیاژ دوتایی که اغلب مرزهای ضد فاز را مشخص می کند، نشان می دهد. برای تجسم اهداف، اتم های لایه پایین بزرگتر از لایه بالایی نشان داده می شوند، اما در واقع اینطور نیست. انتقال لایه بالایی را می توان به دو مرحله تقسیم کرد که با فلش های کوچک ۱ و ۲ نشان داده شده است. ( ب ) لغزش جزئی لایه بالایی توسط بردار کوتاه ۱ منجر به تشکیل یک نقص انباشتگی پیچیده می شود. ج ) لغزش کامل لایه بالایی با بزرگی انتقال داده شده توسط یک واحد انتقال شبکه ( ۱+۲ ) ، که منجر به تشکیل یک مرز ضد فاز می شود. اگر صفحه بالایی با دو فاصله شبکه کامل ( ۱، ۲، ۳، و ۴ ) بلغزد، یک ابردررفتگی تشکیل می شود و این برای بازسازی ساختار بلوری کامل لازم است. انتظار می رود که این ابر دررفتگی، متشکل از دو شبکه کامل انتقال است، به چهار نابجایی جزئی مختلف که دوبه دودرهرطرف هستند، تجزیه شود.
این نوشته برگرفته از سایت ویکی پدیا می باشد، اگر نادرست یا توهین آمیز است، لطفا گزارش دهید: گزارش تخلفاین عیوب مسطح شبیه نقص انباشتگی هستند زیرا اغلب از طریق لغزش صفحات اتمی و حرکت نابجایی ایجاد می شوند، اما درجه انتقال متفاوت است. در نقص های انباشتگی، ناحیه عدم تطابق انباشتگی توسط دو جابجاشدگی جزئی محدود می شود و یک نابجایی گسترده تشکیل می شود. برای دامنه های ضد فاز که فقط بی نظمی شیمیایی را نشان می دهند، این ناحیه توسط دو نقص انباشتگی پیچیده محدود می شود که هم انباشتگی و هم بی نظمی شیمیایی را نشان می دهند؛ بنابراین، برای بازیابی کامل نظم کریستال، ۴ نابجایی جزئی لازم است. این موارد را می توان در شکل ۱ و ۲ زیر مشاهده کرد. عرض این نواحی با توازن نیرو بین دافعه نابجایی های جزئی با علامت مشابه و انرژی سطحی مناطق تعیین می شود. با افزایش انرژی سطح مرزی ضد فاز، درجه جدایی بین نابجایی های جزئی برای جبران کاهش می یابد.
شکل ۱: این شکل دو لایه اتم را در یک کریستال Ni3Al، یک آلیاژ دوتایی که اغلب مرزهای ضد فاز را مشخص می کند، نشان می دهد. برای تجسم اهداف، اتم های لایه پایین بزرگتر از لایه بالایی نشان داده می شوند، اما در واقع اینطور نیست. انتقال لایه بالایی را می توان به دو مرحله تقسیم کرد که با فلش های کوچک ۱ و ۲ نشان داده شده است. ( ب ) لغزش جزئی لایه بالایی توسط بردار کوتاه ۱ منجر به تشکیل یک نقص انباشتگی پیچیده می شود. ج ) لغزش کامل لایه بالایی با بزرگی انتقال داده شده توسط یک واحد انتقال شبکه ( ۱+۲ ) ، که منجر به تشکیل یک مرز ضد فاز می شود. اگر صفحه بالایی با دو فاصله شبکه کامل ( ۱، ۲، ۳، و ۴ ) بلغزد، یک ابردررفتگی تشکیل می شود و این برای بازسازی ساختار بلوری کامل لازم است. انتظار می رود که این ابر دررفتگی، متشکل از دو شبکه کامل انتقال است، به چهار نابجایی جزئی مختلف که دوبه دودرهرطرف هستند، تجزیه شود.
wiki: دامنه ضد فاز