ترمیستورهای ان تی سی

ترمیستورهای NTC مقاومت های وابسته به دما با ضریب دمایی منفی هستند که با افزایش دما مقاومت الکتریکی آنها کاهش می یابد.
ترمیستورها موادی نیم رسانا هستند که مقاومت آن ها با تغییر دما تغییر می یابد. ترمیستورهای ان تی سی موادی هستند که با افزایش دما مقاومت شان کاهش می یابد ( دارای فاکتور TCR منفی هستند ) . به طور معمول نیم رساناها رفتار ان تی سی از خود نشان می دهند. بیشترین کاربرد مواد با این رفتار در حسگرهای دمایی است که روزانه کاربردشان در تکنولوژی های جدید افزایش می یابد و به دلیل حساسیت بالا، قیمت مناسب و دقت بالا همواره مورد توجه بوده اند.
ترمیستورهای ان تی سی امروزه یکی از رایج ترین ابزار مدرن الکترونیکی هستند و به صورت گسترده برای نمایش و کنترل دما و خنثی کردن اثر تغییرات ناگهانی جریان مورد استفاده قرار می گیرند. اولین گزارش از رفتار ان تی سی درسال ۱۸۳۳ توسط دانشمند انگلیسی مایکل فارادی و با مشاهدات او از مقاومت سولفید نقره ارائه شد. طبق مشاهدات او مقاومت Ag2S با افزایش دما کاهش یافته و رسانایی مناسبی را از خود نشان می دهد. [ ۱]
این پدیده تا حدود ۱۰۰ سال و تا زمان مشاهده رفتار مشابه در اکسید فلزات انتقالی مورد بررسی علمی قرار نمی گرفت. این رفتار پیش زمینه ای برای طراحی دستگاه هایی شد که عملکرد اصلی آن ها بر پایه رفتار ان تی سی شکل گرفت. به طور مثال در سال ۱۹۳۰ سموئل روبن ( بنیانگذار شرکت Duracell ) سبت اختراعی راجع به ساخت یک پیرومتر الکتریکی برپایه اکسید مس ثبت کرد. او همچنین در این پتنت استفاده از مخلوط ذوبی از Cu2S و Sb2S را برای ساخت ابزار اندازه گیری دما پیشنهاد کرد. [ ۲] درسال ۱۹۳۳ اندرس پیشنهاد تنظیم مقاومت الکتریکی CuO, MnO و CdO از طریق عملیات حرارتی و ترجیحاً تحت اتمسفر هیدروژن یا با اعمال ولتاژ بالا را ارائه کرد. [ ۳]
در ۱۹۳۵ کارخانه آلمانی فیلیپس محصولی ان تی سی را معرفی کرد که تحت نام تجاری «استارتو» عرضه می شد. این محصول ترکیبی از نوعی رس با نام «Hettenleidelheimer clay» به همراه سیلیکون نیم رسانا یا سایر مواد با خواص مشابه مانند: فرو سیلیکون بود. [ ۴] مخلوط کردن این دو ترکیب سه علت داشت:
( ۱ ) افزایش همزمان مقاومت در دمای پایین و ضریب دمایی مقاومت الکتریکی ترکیبات Si.
( ۲ استفاده از یک کامپوزیت سرامیکی برای تنظیم خواص با تغییر در نسبت اجزا یا برنامه پخت.