ترانزیستور پیوندی دوقطبی یا بی جِی تی ( به انگلیسی: BJT ) نوعی ترانزیستور است که دارای سه پایه به نام های بِیس ( B ) ، اِمیتر ( E ) و کُلِکتور ( C ) می باشد و چون در این قطعه اثر الکترون ها و حفره ها هر دو مهم است، به آن ترانزیستور دوقطبی گفته می شود و در مقابل ترانزیستورهای تک قطبی، مانند ترانزیستور اثر میدان و ترانزیستور اتصال نقطه ای، قرار می گیرند که تنها یک نوع حامل بار دارند.
عصر نوین الکترونیک نیمه رساناها با اختراع ترانزیستور دوقطبی در ۱۹۴۷ توسط جان باردین، والتر هاوسر براتین و ویلیام شاکلی در آزمایشگاه های تلفن بل آغاز شد. این قطعه به همراه همتای اثر میدانی خود تأثیر شگفتی روی تقریباً تمام حوزه های زندگی نوین گذاشته است.
با توجه به نحوهٔ قرار گرفتن نیمه رساناهای مثبت و منفی در ترانزیستور، آن ها را به دو دستهٔ PNP و NPN تقسیم می کنند.
شامل سه لایه نیمه رسانا که دو لایه کناری از نوع p و لایه میانی از نوع n است، می باشد و مزیت اصلی آن در تشریح عملکرد ترانزیستور این است که جهت جاری شدن حفره ها با جهت جریان یکی است.
شامل سه لایه نیمه رسانا که دو لایه کناری از نوع n و لایه میانی از نوع p است، می باشد. پس از درک ایده های اساسی برای قطعه pnp می توان به سادگی آن ها را به ترانزیستور پرکاربردتر npn مربوط ساخت.
ترانزیستور دارای دو پیوندگاه است. یکی بین امیتر و بیس و دیگری بین بیس و کلکتور. به همین دلیل ترانزیستور شبیه دو دیود است. دیود سمت چپ را دیود بیس - امیتر یا صرفاً دیود امیتر و دیود سمت راست را دیود کلکتور - بیس یا دیود کلکتور می نامند. میزان ناخالصی ناحیه وسط ( بیس ) به مراتب کمتر از دو ناحیه جانبی است. این کاهش ناخالصی باعث کم شدن هدایت و بالعکس باعث زیاد شدن مقاومت این ناحیه می گردد.
امیتر که شدیداً آلائیده شده، نقش گسیل یا تزریق الکترون به درون بیس را به عهده دارد. بیس بسیار نازک ساخته شده و آلایش آن ضعیف است و بنابراین بیشتر الکترونهای تزریق شده از امیتر را به کلکتور عبور می دهد. میزان آلایش کلکتور کمتر از میزان آلایش شدید امیتر و بیشتر از آلایش ضعیف بیس است و کلکتور الکترونها را از بیس جمع آوری می کند.
محل قرار گرفتن پایه ها در هر ترانزیستور ممکن است متفاوت باشد —برای نمونه بیس ممکن است پایهٔ وسط یا کناری باشد— و برای یافتن آن ها می توان به کتاب های اطلاعت ترانزیستور مراجعه کرد. در ترانزیستورهای توان بالای صنعتی که به «ترانزیستورهای قدرت» مشهورند پایهٔ کلکتور اغلب همان بدنهٔ ترانزیستور است. [ ۱]
این نوشته برگرفته از سایت ویکی پدیا می باشد، اگر نادرست یا توهین آمیز است، لطفا گزارش دهید: گزارش تخلفعصر نوین الکترونیک نیمه رساناها با اختراع ترانزیستور دوقطبی در ۱۹۴۷ توسط جان باردین، والتر هاوسر براتین و ویلیام شاکلی در آزمایشگاه های تلفن بل آغاز شد. این قطعه به همراه همتای اثر میدانی خود تأثیر شگفتی روی تقریباً تمام حوزه های زندگی نوین گذاشته است.
با توجه به نحوهٔ قرار گرفتن نیمه رساناهای مثبت و منفی در ترانزیستور، آن ها را به دو دستهٔ PNP و NPN تقسیم می کنند.
شامل سه لایه نیمه رسانا که دو لایه کناری از نوع p و لایه میانی از نوع n است، می باشد و مزیت اصلی آن در تشریح عملکرد ترانزیستور این است که جهت جاری شدن حفره ها با جهت جریان یکی است.
شامل سه لایه نیمه رسانا که دو لایه کناری از نوع n و لایه میانی از نوع p است، می باشد. پس از درک ایده های اساسی برای قطعه pnp می توان به سادگی آن ها را به ترانزیستور پرکاربردتر npn مربوط ساخت.
ترانزیستور دارای دو پیوندگاه است. یکی بین امیتر و بیس و دیگری بین بیس و کلکتور. به همین دلیل ترانزیستور شبیه دو دیود است. دیود سمت چپ را دیود بیس - امیتر یا صرفاً دیود امیتر و دیود سمت راست را دیود کلکتور - بیس یا دیود کلکتور می نامند. میزان ناخالصی ناحیه وسط ( بیس ) به مراتب کمتر از دو ناحیه جانبی است. این کاهش ناخالصی باعث کم شدن هدایت و بالعکس باعث زیاد شدن مقاومت این ناحیه می گردد.
امیتر که شدیداً آلائیده شده، نقش گسیل یا تزریق الکترون به درون بیس را به عهده دارد. بیس بسیار نازک ساخته شده و آلایش آن ضعیف است و بنابراین بیشتر الکترونهای تزریق شده از امیتر را به کلکتور عبور می دهد. میزان آلایش کلکتور کمتر از میزان آلایش شدید امیتر و بیشتر از آلایش ضعیف بیس است و کلکتور الکترونها را از بیس جمع آوری می کند.
محل قرار گرفتن پایه ها در هر ترانزیستور ممکن است متفاوت باشد —برای نمونه بیس ممکن است پایهٔ وسط یا کناری باشد— و برای یافتن آن ها می توان به کتاب های اطلاعت ترانزیستور مراجعه کرد. در ترانزیستورهای توان بالای صنعتی که به «ترانزیستورهای قدرت» مشهورند پایهٔ کلکتور اغلب همان بدنهٔ ترانزیستور است. [ ۱]
wiki: ترانزیستور پیوندی دوقطبی