ترانزیستور دوقطبی با پیوندناهمگون ( HBT ) ( به انگلیسی: heterojunction bipolar transistor ) نوعی از ترانزیستور دوقطبی است که از نیم رساناهای متفاوتی در ناحیه امیتر و بیس ساخته شده و یک پیوندناهمگون به وجود آمده است. برتری HBT نسبت به BJT این است که می تواند در فرکانس های بسیار - بالا تا حدود چندصد گیگاهرتز کار کند. از این ترانزیستورها معمولاً در مدارات نسل جدید بسیارسریع و فرکانس رادیویی که نیازمند بازدهی بالا نیز هست، مانند گوشی تلفن همراه، استفاده می شود. [ ۱]
تفاوت اصلی اچ بی تی ها با ترانزیستورهای معمولی استفاده از نیم رساناهای متفاوت در پیوند بیس - امیتر و بیس - کلکتور است که سبب جلوگیری از تزریق الکترون از بیس به امیتر می شود. در این حالت می توان با افزایش آلاینده ناحیه بیس، مقاومت آن را کم کرد و در عین حال بهره ترانزیستور را بالا برد. بدین منظور در ناحیه بیس این ترانزیستور از نیم رسانا با باند ممنوعه کم عرض مانند سیلیسیوم و گالیم آرسنید و در امیتر و کلکتور از نیم رسانا با باند ممنوعه عریض مثل گالیم نیترید استفاده می شود.
این نوشته برگرفته از سایت ویکی پدیا می باشد، اگر نادرست یا توهین آمیز است، لطفا گزارش دهید: گزارش تخلفتفاوت اصلی اچ بی تی ها با ترانزیستورهای معمولی استفاده از نیم رساناهای متفاوت در پیوند بیس - امیتر و بیس - کلکتور است که سبب جلوگیری از تزریق الکترون از بیس به امیتر می شود. در این حالت می توان با افزایش آلاینده ناحیه بیس، مقاومت آن را کم کرد و در عین حال بهره ترانزیستور را بالا برد. بدین منظور در ناحیه بیس این ترانزیستور از نیم رسانا با باند ممنوعه کم عرض مانند سیلیسیوم و گالیم آرسنید و در امیتر و کلکتور از نیم رسانا با باند ممنوعه عریض مثل گالیم نیترید استفاده می شود.
