[برق و الکترونیک] تابش بازترکیب تابش گسیل شده در نیمرساناها به هنگام بازترکیب الکترونهای باند هایت با حفره های باند ظرفیت . اگر وارونگی جمعت حقیقی بین دو قسمت باندهای ظرفیت و هدایت پایین تراز های پذیرنده یا دهنده در نزدیکی این باندها اتفاق بیفتد، می تواند گسیل شبیه سازی شده و تقویت لیزر یا نوسان به وجود آورد .
