ion implantation
تخصصی
[برق و الکترونیک] کاشت یون، یون نشانی - کاشت یون آلایش کنترل شده ی یک پولک نیمه رسانا در مناطق تعریف شده با ماسکهای اکسید به وسیله ی باریکه های پر انرژی از یونهای پر، فسفر، یا آرسنیک . یونها پس از نفوذ در سطح . سرعت خود را از دست می دهند و در درون پولک ساکن می شوند . از این روش در ساخت مقاومتها، دیودها، ماسفتها، و مدارهای مجتمع گالیم آرسنیدی استفده می شود .کاشت یون بسیار دقیتر از روش نفوذ ( kiffusion ) است و به ویژه برای توزیعهای با عمق کمتر از یک میکرومتر بسیار کار آمد است . کاشت در دمای معمولی صورت می گیرد و نقایص بلوری ایجاد شده بر اثر آن به وسیله گرمادهی و در دمای حدود 700 درجه ی سانتی گراد ترمیم می شود .
پیشنهاد کاربران
پیشنهادی ثبت نشده است. شما اولین نفر باشید