پیوند پی–ان

پیوند P - N ( به انگلیسی: P - N junction ) اتصال یک نیم رسانای مثبت با یک نیم رسانای منفی است. این پیوند را می توان با روش کاشت یون، نفوذ دادن آلاینده در نیم رسانا، یا ارونشست ساخت. این نوع پیوند در ساخت دیود، دیود نورانی، ترانزیستور، ترانزیستور دوقطبی پیوندی و سلول خورشیدی کاربرد دارد. گرچه هر دو نیم رسانای مثبت و منفی بکاررفته در پیوند رساناهای خوبی هستند، اما محل پیوند، نارساناست. نارسانایی به این خاطرست که در نیم رسانای مثبت، حفره های الکترونی با بار مثبت و در نیم رسانای منفی، الکترون ها با بار منفی حامل بار الکتریکی اند و در محل پیوند این دو گونه حامل بار به هم رسیده و همدیگر را خنثی می کنند. لذا به این ناحیه که خالی از بار الکتریکی است، ناحیه تخلیه می گویند. پیوند شاتکی گونه ای از پیوند P - N است که در آن فلزی نقش نیم رسانای منفی را بازی می کند.