در فیزیک حالت جامد، پیوند فلز - نیم رسانا ( ام - اس ) نوعی پیوند الکتریکی است که در آن یک فلز از نزدیک با یک ماده نیم رسانا متصل می شود. این قدیمی ترین قطعه نیم رسانای عملی است. پیوندهای ام - اس می توانند یکسوساز یا غیریکسوسازی باشند. محل پیوند فلز - نیم رسانا یکسوساز یک سد شاتکی تشکیل می دهد، و قطعه ای که به عنوان دیود شاتکی شناخته می کنند را می سازد، در حالی که پیوند غیریکسوساز را یک اتصال اهمی می نامند. [ ۱] ( در مقابل، یک پیوند نیم رسانا - نیم رسانا یکسوسازی، متداول ترین ادوات نیم رسانای امروزی، که به عنوان اتصال پی–اِن شناخته می شود، است )
پیوندهای فلز - نیم رسانا برای عملکرد همه ادوات نیم رسانا بسیار مهم هستند. معمولاً یک اتصال اهمی مطلوب است، به طوری که بار الکتریکی بتواند به راحتی بین ناحیه فعال ترانزیستور و مدارهای خارجی متصل شود. گاهی اوقات یک سد شاتکی مفید است، مانند دیودهای شاتکی، ترانزیستورهای شاتکی و ترانزیستورهای اثر میدانی فلز - نیم رسانا.
ترازبندی نوارهای نیم رسانا در نزدیکی محل پیوند معمولاً از سطح آلایش نیم رسانا مستقل است، بنابراین ارتفاع سد شاتکی از نوع n و نوع p در حالت ایده آل با یکدیگر مرتبط هستند توسط:
که در آن Eg نوار ممنوعه نیم رسانا است.
در عمل، ارتفاع سد شاتکی دقیقاً خط اتصال تقاطع ثابت نیست و در سطح بین وجه ها متفاوت است. [ ۲]
خاصیت یکسوسازی پیوندهای فلز - نیم رسانا توسط فردیناند براون در سال ۱۸۷۴ با استفاده از فلز جیوه متصل شده با نیم رساناهای سولفید مس و سولفید آهن کشف شد. [ ۳] سر جاگادیش چاندرا بوس در سال ۱۹۰۱ درخواست ثبت اختراع ایالات متحده برای دیود فلز - نیم رسانا را داد. این حق ثبت اختراع در سال ۱۹۰۴ اهدا شد.
جی دبلیو پیکارد در سال ۱۹۰۶ حق ثبت اختراع بر روی یکسوساز اتصال نقطه ای با استفاده از سیلیسیم را دریافت کرد. در سال ۱۹۰۷، جورج دبلیو پیرس مقاله ای در بازبینی فیزیک منتشر کرد که خصوصیات یکسوکنندگی دیودهای ساخته شده توسط کندوپاش بسیاری از فلزات را روی بسیاری از نیم رساناها نشان می دهد. [ ۴] استفاده از یکسوساز دیود فلز - نیم رسانا توسط لیلینفلد در سال ۱۹۲۶ در اولین سه حق ثبت اختراع ترانزیستور به عنوان گیت ترانزیستورهای اثر میدانی فلز - نیم رسانا پیشنهاد شد. [ ۵] تئوری ترانزیستور اثر میدانی با استفاده از یک گیت فلزی/نیم رسانا توسط ویلیام شاکلی در سال ۱۹۳۹ مطرح شد.
این نوشته برگرفته از سایت ویکی پدیا می باشد، اگر نادرست یا توهین آمیز است، لطفا گزارش دهید: گزارش تخلفپیوندهای فلز - نیم رسانا برای عملکرد همه ادوات نیم رسانا بسیار مهم هستند. معمولاً یک اتصال اهمی مطلوب است، به طوری که بار الکتریکی بتواند به راحتی بین ناحیه فعال ترانزیستور و مدارهای خارجی متصل شود. گاهی اوقات یک سد شاتکی مفید است، مانند دیودهای شاتکی، ترانزیستورهای شاتکی و ترانزیستورهای اثر میدانی فلز - نیم رسانا.
ترازبندی نوارهای نیم رسانا در نزدیکی محل پیوند معمولاً از سطح آلایش نیم رسانا مستقل است، بنابراین ارتفاع سد شاتکی از نوع n و نوع p در حالت ایده آل با یکدیگر مرتبط هستند توسط:
که در آن Eg نوار ممنوعه نیم رسانا است.
در عمل، ارتفاع سد شاتکی دقیقاً خط اتصال تقاطع ثابت نیست و در سطح بین وجه ها متفاوت است. [ ۲]
خاصیت یکسوسازی پیوندهای فلز - نیم رسانا توسط فردیناند براون در سال ۱۸۷۴ با استفاده از فلز جیوه متصل شده با نیم رساناهای سولفید مس و سولفید آهن کشف شد. [ ۳] سر جاگادیش چاندرا بوس در سال ۱۹۰۱ درخواست ثبت اختراع ایالات متحده برای دیود فلز - نیم رسانا را داد. این حق ثبت اختراع در سال ۱۹۰۴ اهدا شد.
جی دبلیو پیکارد در سال ۱۹۰۶ حق ثبت اختراع بر روی یکسوساز اتصال نقطه ای با استفاده از سیلیسیم را دریافت کرد. در سال ۱۹۰۷، جورج دبلیو پیرس مقاله ای در بازبینی فیزیک منتشر کرد که خصوصیات یکسوکنندگی دیودهای ساخته شده توسط کندوپاش بسیاری از فلزات را روی بسیاری از نیم رساناها نشان می دهد. [ ۴] استفاده از یکسوساز دیود فلز - نیم رسانا توسط لیلینفلد در سال ۱۹۲۶ در اولین سه حق ثبت اختراع ترانزیستور به عنوان گیت ترانزیستورهای اثر میدانی فلز - نیم رسانا پیشنهاد شد. [ ۵] تئوری ترانزیستور اثر میدانی با استفاده از یک گیت فلزی/نیم رسانا توسط ویلیام شاکلی در سال ۱۹۳۹ مطرح شد.
wiki: پیوند فلز نیم رسانا