ترانزیستور وی ماس ( به انگلیسی: VMOS، /ˈviːmɒs/ ) یک نوع ماسفت است ( ترانزیستور اثر میدانی فلز - اکسید - نیم رسانا ) . وی ماس همچنین برای توصیف شکل شیار وی ( V ) تیز به صورت عمودی برش داده شده در مواد زیرلایه استفاده می شود. وی ماس مخفف «نیم رسانا - اکسید - فلز عمودی» یا «ماس با شیار وی» است. [ ۱]
شکل «وی» گیت ماسفت به قطعه اجازه می دهد تا مقدار بیشتری جریان را از سورس به درین قطعه برساند. این شکل ناحیه تخلیه کانال گسترده تری ایجاد می کند و اجازه می دهد جریان بیشتری از آن عبور کند.
در حین کار حالت مسدودسازی، بالاترین میدان الکتریکی در محل پیوند +p+/N رخ می دهد. وجود یک گوشه تیز در پایین شیار باعث افزایش میدان الکتریکی در لبه کانال در ناحیه تخلیه می شود، بنابراین ولتاژ شکست قطعه را کاهش می دهد. [ ۲] این میدان الکتریکی، الکترون ها را به داخل اکسید گیت پرتاب می کند و در نتیجه، الکترون های به دام افتاده ولتاژ آستانه ماسفت را جابجا می کنند. به همین دلیل دیگر از معماری شیار وی در افزاره های تجاری استفاده نمی شود.
استفاده از این قطعه قدرت تا زمان شکل گیری هندسه های مناسب تری مانند یوماس ( یا ماس با گیت - ترانشه ای ( به انگلیسی: Trench - Gate ) ) به منظور کاهش بیشینه میدان الکتریکی در بالای شکل وی و بنابراین منجر به بیشینه ولتاژ بالاتر از نمونه وی ماس می شود.
اولین ماسفت ( بدون شیار وی ) توسط محمد عطاالله و داوون کانگ در آزمایشگاه های بل در سال ۱۹۵۹ اختراع شد. [ ۳] ساخت شیار وی توسط ژوئن - ایچی زاوا در سال ۱۹۶۹، [ ۴] در ابتدا برای ترانزیستور القایی ایستا ( اس آی تی ) ، نوعی جی فت ( ترانزیستور اثر میدانی پیوندی ) آغازشد. [ ۵]
وی ماس توسط هیتاچی در سال ۱۹۶۹، [ ۶] هنگامی که آن ها اولین ماسفت قدرت عمودی در ژاپن معرفی کردند، اختراع شد. [ ۷] تی جی راجرز، در حالی که دانشجوی دانشگاه استنفورد بود، در سال ۱۹۷۳ حق ثبت اختراع ایالات متحده را برای یک وی ماس ثبت کرد. [ ۸] سیلیکونیکس در سال ۱۹۷۵ یک وی ماس را به صورت تجاری معرفی کرد. وی ماس بعد از آن به چه شناخته شده به عنوان توسعه یافته شد وی دی ماس ( دی ماس عمودی ) . [ ۹]
در سال ۱۹۷۸، ریزسیستم آمریکا ( ای ام آی ) اس۲۸۱۱ را منتشر کرد. [ ۱۰] [ ۱۱] این اولین تراشه مدار مجتمع شده بود که به طور خاص به عنوان پردازشگر سیگنال دیجیتال ( دی اس پی ) طراحی شد و با استفاده از فناوری وی ماس که قبلاً به صورت انبوه تولید نشده بود، ساخته شد.
این نوشته برگرفته از سایت ویکی پدیا می باشد، اگر نادرست یا توهین آمیز است، لطفا گزارش دهید: گزارش تخلفشکل «وی» گیت ماسفت به قطعه اجازه می دهد تا مقدار بیشتری جریان را از سورس به درین قطعه برساند. این شکل ناحیه تخلیه کانال گسترده تری ایجاد می کند و اجازه می دهد جریان بیشتری از آن عبور کند.
در حین کار حالت مسدودسازی، بالاترین میدان الکتریکی در محل پیوند +p+/N رخ می دهد. وجود یک گوشه تیز در پایین شیار باعث افزایش میدان الکتریکی در لبه کانال در ناحیه تخلیه می شود، بنابراین ولتاژ شکست قطعه را کاهش می دهد. [ ۲] این میدان الکتریکی، الکترون ها را به داخل اکسید گیت پرتاب می کند و در نتیجه، الکترون های به دام افتاده ولتاژ آستانه ماسفت را جابجا می کنند. به همین دلیل دیگر از معماری شیار وی در افزاره های تجاری استفاده نمی شود.
استفاده از این قطعه قدرت تا زمان شکل گیری هندسه های مناسب تری مانند یوماس ( یا ماس با گیت - ترانشه ای ( به انگلیسی: Trench - Gate ) ) به منظور کاهش بیشینه میدان الکتریکی در بالای شکل وی و بنابراین منجر به بیشینه ولتاژ بالاتر از نمونه وی ماس می شود.
اولین ماسفت ( بدون شیار وی ) توسط محمد عطاالله و داوون کانگ در آزمایشگاه های بل در سال ۱۹۵۹ اختراع شد. [ ۳] ساخت شیار وی توسط ژوئن - ایچی زاوا در سال ۱۹۶۹، [ ۴] در ابتدا برای ترانزیستور القایی ایستا ( اس آی تی ) ، نوعی جی فت ( ترانزیستور اثر میدانی پیوندی ) آغازشد. [ ۵]
وی ماس توسط هیتاچی در سال ۱۹۶۹، [ ۶] هنگامی که آن ها اولین ماسفت قدرت عمودی در ژاپن معرفی کردند، اختراع شد. [ ۷] تی جی راجرز، در حالی که دانشجوی دانشگاه استنفورد بود، در سال ۱۹۷۳ حق ثبت اختراع ایالات متحده را برای یک وی ماس ثبت کرد. [ ۸] سیلیکونیکس در سال ۱۹۷۵ یک وی ماس را به صورت تجاری معرفی کرد. وی ماس بعد از آن به چه شناخته شده به عنوان توسعه یافته شد وی دی ماس ( دی ماس عمودی ) . [ ۹]
در سال ۱۹۷۸، ریزسیستم آمریکا ( ای ام آی ) اس۲۸۱۱ را منتشر کرد. [ ۱۰] [ ۱۱] این اولین تراشه مدار مجتمع شده بود که به طور خاص به عنوان پردازشگر سیگنال دیجیتال ( دی اس پی ) طراحی شد و با استفاده از فناوری وی ماس که قبلاً به صورت انبوه تولید نشده بود، ساخته شد.
wiki: وی ماس