نانو رم

نانو رم ( Nano - RAM ) یک فناوری حافظه رایانه اختصاصی از شرکت نانتیرو ( Nantero ) است که یک نوع حافظه دسترسی تصادفی غیر فرار بر اساس موقعیت نانولوله کربنی است که در یک بستر شبیه تراشه قرار می گیرد. از نظر تئوری، اندازه کوچک نانولوله ها باعث می شود که حافظه هایی با چگالی بسیار بالا باشند. نانتیرو همچنین از آن به عنوان NRAM یاد می کند.
نسل اول فناوری نانتیرو NRAM بر پایه یک دستگاه نیمه رسانا سه ترمینال است که در آن ترمینال سوم برای تعویض سلول حافظه بین حالت های حافظه استفاده می شود. نسل دوم فناوری NRAM مبتنی بر یک سلول حافظه دو ترمینال است. سلول دو ترمینال دارای مزایایی مانند اندازه سلول کوچکتر، مقیاس پذیری بهتر نسبت به نودهای sub - 20 نانومتر است و توانایی غیرفعال کردن سلول حافظه در طول ساخت.
در یک ماتریس فابریک نبافته از نانولوله های کربنی ( CNTs ) ، نانولوله های متقاطع بسته به موقعیت آنها می توانند تماس پیدا کنند یا کمی از هم جدا شوند. هنگام تماس، نانولوله های کربنی توسط نیروی واندروالسی در کنار هم قرار می گیرند. هر سلول "NRAM" از شبکه ای بهم پیوسته از CNTها واقع شده است که بین دو الکترود قرار دارد و در شکل ۱ نشان داده شده است. بافت CNT بین دو الکترود فلزی قرار دارد که توسط فوتولیتوگرافی تعریف و شیاردار می شود و سلول NRAM را تشکیل می دهد.
نانتیرو در سال ۲۰۰۱ تأسیس شد و مقر آن در ووبورن، ماساچوست است.
با توجه به سرمایه گذاری گسترده در کارخانه های ساخت نیمه هادی فلش، با وجود پیش بینی ها در اوایل سال ۲۰۰۳ از سرعت و تراکم قریب الوقوع NRAM، هیچ حافظه جایگزینی جایگزین فلاش در بازار نشده است. [ ۱] [ ۲] ۵، NRAM به عنوان حافظه جهانی ارتقاء یافت، و نانترو پیش بینی کرد که تا پایان سال ۲۰۰۶ تولید خواهد شد. [ ۳] ر آگوست سال ۲۰۰۸، لاکهید مارتین مجوز انحصاری برای برنامه های دولتی از مالکیت معنوی نانتیرو کسب کرد. [ ۴] در اوایل سال ۲۰۰۹، نانترو ۳۰ اختراع ثبت شده در ایالات متحده و ۴۷ کارمند داشت، اما هنوز در مرحله مهندسی بود. [ ۵] در ماه مه سال ۲۰۰۹، نسخه ای NRAM مقاومت در برابر اشعه در مأموریت STS - 125 شاتل فضایی  آتلانتیس ایالات متحده مورد آزمایش قرار گرفت. [ ۶]
۳۱ آگوست ۲۰۱۶. دو کسب و کار نیمه رسانا فوجیتسو مجوز فناوری Nantero NRAM با توسعه مشترک نانتیرو - فوجیتسو برای تولید تراشه در سال ۲۰۱۸ را دارند. [ ۷]