مسفت

ترانزیستور اثر میدان فلز - نیمرسانا ( به انگلیسی: metal–semiconductor field - effect transistor ) یا مسفت ( MESFET ) یک ترانزیستور اثر میدان مشابه جِی فِت است، که به جای اتصال p - n برای Gate دارای یک اتصال شاتکی ( فلز - نیمرسانا ) است.
MESFETها در فناوری های نیمه هادی مرکب که فاقد غیرفعال سازی سطحی کیفیت بالا هستند ساخته می شوند، مانند گالیم آرسنید، فسفید ایندیوم، یا کاربید سیلیکون و از JFETها یا MOSFETهایی که بر پایه سیلیکون هستند، سریعتر اما گرانتر هستند. از MESFETهای تولید انبوه شده تا حدود ۴۵ گیگاهرتز استفاده شده است، [ ۱] و معمولاً برای ارتباطات و رادار فرکانس میکروویو از آنها استفاده می شود. اولین MESFETها در سال ۱۹۶۶ ساخته شدند و یک سال بعد عملکرد فرکانس فوق بالای میکروویو امواج رادیویی آن نشان داده شد. [ ۲]
طرح های بسیاری در ساخت MESFETها برای استفاده در طیف گسترده ای از سیستم های نیمه هادی مورد بررسی قرار گرفته است. برخی از زمینه های اصلی کاربرد، ارتباطات نظامی است، به عنوان تقویت کننده نویز پایین در جلوی گیرنده های میکروویو، در دستگاه های رادار نظامی و ارتباطات، اپتو الکترونیک تجاری، ارتباطات ماهواره ای، به عنوان تقویت کننده نیرو برای مرحله خروجی پیوندهای میکروویو و به عنوان یک نوسان ساز ( oscillator ) برق.