مدولاسیون طول کانال

یکی از چندین اثر کانال کوتاه در مقیاس بندی ماسفت، مدولاسیون طول کانال ( سی ال ام ) کوتاه شدن طول ناحیه کانال معکوس با افزایش بایاس درین برای بایاس درین بزرگ است. نتیجه سی ال ام افزایش جریان با بایاس درین و کاهش مقاومت خروجی است. مدولاسیون طول کانال در همه ترانزیستورهای اثر میدانی و نه فقط ماسفتها رخ می دهد.
مدولاسیون طول کانال مهم است زیرا مقاومت خروجی ماسفت را مشخص می کند، یک پارامتر مهم در طراحی مدار آینه ها جریان و تقویت کنندهها.
در مدل شیچمن - هاجز که در بالا استفاده شد، مقاومت خروجی به شرح زیر است:
که V D S = ولتاژ درین - سورس، I D = جریان درین و λ = پارامتر مدولاسیون طول کانال. بدون مدولاسیون طول کانال ( برای ۰= λ ) ، مقاومت خروجی بی نهایت است. پارامتر مدولاسیون طول کانال معمولاً به طور معکوس متناسب با طول کانال ماسفت L گرفته شده است، به صورتی که برای r O در آخرین شکل بالا نشان داده شده:[ ۱]
که V E یک پارامتر برازش است، اگرچه از نظر مفهومی با ولتاژ ارلی برای بی جی تیها مشابه است. برای یک فرایند ۶۵ نانومتر، تقریباً v E ≈ 4 . [ ۲] ( یک روش دقیق تر در مدل EKV استفاده شده است. [ ۳] ) با این حال، هیچ فرمول ساده ای که برای λ تا به امروز مورد استفاده قرار گیرد، طول یا وابستگی دقیق ولتاژ r O برای قطعات نوین را فراهم نمی کند و مجبور به استفاده از مدل های رایانه ای هستیم، که مختصراً مورد بحث قرار گرفته است.