مدل هایبرید پای مدار الکترونیکی معروفی است که برای تحلیل رفتار سیگنال کوچک ترانزیستورها به کار می رود. این مدل برای اولین بار در سال ۱۹۶۹ توسط جیاکلتو ( به انگلیسی: L. J. Giacoletto ) ارائه شد. لازم به ذکر است که مدل های دیگری نیز ارائه شده است ولی همچنان این مدل به دلیل سادگی پرکاربردترین است.
• ترارسانایی به صورت زیر تعریف می شود[ ۱] :
• g m = i c v b e | v c e = 0 = I C V T {\displaystyle g_{m}={\frac {i_{\mathrm {c} }}{v_{\mathrm {be} }}}{\Bigg |}_{v_{\mathrm {ce} }=0}={\frac {I_{\mathrm {C} }}{V_{\mathrm {T} }}}}
که در آن:
• I C {\displaystyle I_{\mathrm {C} }\, } جریان نقطهٔ کار کلکتور ترانزیستور است.
• V T {\displaystyle V_{\mathrm {T} }} ولتاژ گرمایی است که به صورت زیر تعریف می شود: ( مقدار آن در دمای اتاق حدود ۲۵mV است. )
• V T = k T q {\displaystyle V_{\mathrm {T} }={\begin{matrix}{\frac {kT}{q}}\end{matrix}}}
دیگر پارامترهای نشان داده شده در شکل به شکل زیر تعریف می شوند:
• r π = v b e i b | v c e = 0 = β 0 g m = V T I B {\displaystyle r_{\pi }={\frac {v_{\mathrm {be} }}{i_{\mathrm {b} }}}{\Bigg |}_{v_{\mathrm {ce} }=0}={\frac {\beta _{0}}{g_{m}}}={\frac {V_{\mathrm {T} }}{I_{\mathrm {B} }}}\, }
• β 0 = I C I B {\displaystyle \beta _{0}={\frac {I_{\mathrm {C} }}{I_{\mathrm {B} }}}\, }
• r O = v c e i c | v b e = 0 = V A + V C E I C ≈ V A I C {\displaystyle r_{\mathrm {O} }={\frac {v_{\mathrm {ce} }}{i_{\mathrm {c} }}}{\Bigg |}_{v_{\mathrm {be} }=0}={\frac {V_{\mathrm {A} }+V_{\mathrm {CE} }}{I_{\mathrm {C} }}}\approx {\frac {V_{\mathrm {A} }}{I_{\mathrm {C} }}}}
که V A ولتاژ ارلی است.
• r e = 1 g m {\displaystyle r_{\mathrm {e} }={\frac {1}{g_{m}}}} .
در این مدل برخلاف مدل قبلی r π نداریم چراکه بین گیت و سورس، عایق شیشه ای وجود دارد و عملاً مانع از ایجاد اتصال الکتریکی شده است. ( البته جریان نشتی حدود چند نانوآمپر وجود دارد که در مقایسه با جریان درین کاملاً قابل چشم پوشی است. )
پارامترهای شکل به شکل زیر تعریف می شوند[ ۲] :
• g m = i d v g s | v d s = 0 {\displaystyle g_{m}={\frac {i_{\mathrm {d} }}{v_{\mathrm {gs} }}}{\Bigg |}_{v_{\mathrm {ds} }=0}}
این نوشته برگرفته از سایت ویکی پدیا می باشد، اگر نادرست یا توهین آمیز است، لطفا گزارش دهید: گزارش تخلف• ترارسانایی به صورت زیر تعریف می شود[ ۱] :
• g m = i c v b e | v c e = 0 = I C V T {\displaystyle g_{m}={\frac {i_{\mathrm {c} }}{v_{\mathrm {be} }}}{\Bigg |}_{v_{\mathrm {ce} }=0}={\frac {I_{\mathrm {C} }}{V_{\mathrm {T} }}}}
که در آن:
• I C {\displaystyle I_{\mathrm {C} }\, } جریان نقطهٔ کار کلکتور ترانزیستور است.
• V T {\displaystyle V_{\mathrm {T} }} ولتاژ گرمایی است که به صورت زیر تعریف می شود: ( مقدار آن در دمای اتاق حدود ۲۵mV است. )
• V T = k T q {\displaystyle V_{\mathrm {T} }={\begin{matrix}{\frac {kT}{q}}\end{matrix}}}
دیگر پارامترهای نشان داده شده در شکل به شکل زیر تعریف می شوند:
• r π = v b e i b | v c e = 0 = β 0 g m = V T I B {\displaystyle r_{\pi }={\frac {v_{\mathrm {be} }}{i_{\mathrm {b} }}}{\Bigg |}_{v_{\mathrm {ce} }=0}={\frac {\beta _{0}}{g_{m}}}={\frac {V_{\mathrm {T} }}{I_{\mathrm {B} }}}\, }
• β 0 = I C I B {\displaystyle \beta _{0}={\frac {I_{\mathrm {C} }}{I_{\mathrm {B} }}}\, }
• r O = v c e i c | v b e = 0 = V A + V C E I C ≈ V A I C {\displaystyle r_{\mathrm {O} }={\frac {v_{\mathrm {ce} }}{i_{\mathrm {c} }}}{\Bigg |}_{v_{\mathrm {be} }=0}={\frac {V_{\mathrm {A} }+V_{\mathrm {CE} }}{I_{\mathrm {C} }}}\approx {\frac {V_{\mathrm {A} }}{I_{\mathrm {C} }}}}
که V A ولتاژ ارلی است.
• r e = 1 g m {\displaystyle r_{\mathrm {e} }={\frac {1}{g_{m}}}} .
در این مدل برخلاف مدل قبلی r π نداریم چراکه بین گیت و سورس، عایق شیشه ای وجود دارد و عملاً مانع از ایجاد اتصال الکتریکی شده است. ( البته جریان نشتی حدود چند نانوآمپر وجود دارد که در مقایسه با جریان درین کاملاً قابل چشم پوشی است. )
پارامترهای شکل به شکل زیر تعریف می شوند[ ۲] :
• g m = i d v g s | v d s = 0 {\displaystyle g_{m}={\frac {i_{\mathrm {d} }}{v_{\mathrm {gs} }}}{\Bigg |}_{v_{\mathrm {ds} }=0}}
wiki: مدل هایبرید پای