ترانزیستور اثرِ میدانیِ نیم رسانا اکسید - فلز ( به انگلیسی: metal–oxide semiconductor field effect transistor ) یا ماسفِت ( اختصاری MOSFET ) معروف ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای الکترونیک آنالوگ و دیجیتال است. اصطلاح «اکسید - فلز» را نباید به اشتباه «اکسیدِ فلز» خواند. دلیل این نام گذاری این است که در ساختمان این ترانزیستور، یک لایهٔ اکسیدِ سیلیسیوم ( SiO2 ) در زیر اتصال فلزیِ پایهٔ گِیت قرار گرفته است ( شکل روبرو را ببینید ) .
این گونه از ترانزیستور اثر میدان نخستین بار در سال ۱۹۲۶میلادی معرفی شد. در آن هنگام، ساخت و به کارگیری این ترانزیستورها، به سبب نبود علم و ابزار و امکان، با دشواری همراه بود و از همین روی، برای پنج دهه فراموش شدند و از میدانِ پیشرفت های الکترونیک بر کنار ماندند. در آغازِ دههٔ ۷۰، بارِ دیگر نگاه ها به ماسفت ها افتاد و برای ساختنِ مدارهای مجتمع به کار گرفته شدند.
در مدارهای الکترونیکی، ترانزیستور اثر میدان ( FET ) را با سه پایه به نام های گِیت ( Gate ) ، دِرِین ( Drain ) ، و سورس ( Source ) در نظر می گیرند. در این ترانزیستور، گیت ( پایهٔ کنترلی ) ، جریانی نمی کشد، و چنان که از نام ترانزیستور پیداست، تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان الکتریکی درون نیم رسانا، جریان عبوری از FET کنترل می شود. از همین روی، وقتی گیت به عنوان ورودی این ترانزیستور در نظر گرفته می شود، هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات قبلی خود در مدار نمی گذارد و ترانزیستور در این حالت امپدانس ورودی بسیار بالایی دارد. عمده تفاوت ماسفت با ترانزیستور JFET در این است که گیت ترانزیستورهای ماسفت توسط لایه ای از اکسید سیلیسیم ( SiO2 ) از کانال مجزا شده است. به این دلیل به ماسفت ها، فِت با گیت مجزا ( به انگلیسی: IGFET, Insulated Gate FET ) نیز گفته می شود. [ ۱]
مدارهای مجتمع بر پایهٔ فناوری ماسفت را می توان بسیار ریزتر و ساده تر از مدارهای مجتمع بر پایهٔ ترانزیستورهای دوقطبی ساخت، بی آن که ( حتی در مدارها و تابع های پیچیده و مقیاس های بزرگ ) نیازی به مقاومت، دیود یا دیگر قطعه های الکترونیکی داشته باشند. [ ۲] همین ویژگی، تولیدِ انبوهِ آن ها را آسان می کند، چندان که هم اکنون بیش از ۸۵ درصدِ مدارهای مجتمع، بر پایهٔ فناوریِ MOS طراحی و ساخته می شوند.
ترانزیستورهای MOS، بسته به کانالی که در آن ها شکل می گیرد، کانال N یا کانال P نامیده می شوند. در آغازِ کار، کانال P ترانزیستورِ پرکاربردتر در فناوری MOS بود. اما از آن جا که ساختنِ کانال N آسان تر است و مساحتِ کم تری هم می گیرد، از کانال P پیشی گرفت. بر خلافِ ترانزیستورهای دوقطبی، در ترانزیستورهای ماسفت، جریان، نتیجهٔ شارشِ تنها یک حامل ( الکترون یا حفره ) در میانِ پیوندها است و از این رو، این ترانزیستورها را تک قطبی هم می نامند.
این نوشته برگرفته از سایت ویکی پدیا می باشد، اگر نادرست یا توهین آمیز است، لطفا گزارش دهید: گزارش تخلفاین گونه از ترانزیستور اثر میدان نخستین بار در سال ۱۹۲۶میلادی معرفی شد. در آن هنگام، ساخت و به کارگیری این ترانزیستورها، به سبب نبود علم و ابزار و امکان، با دشواری همراه بود و از همین روی، برای پنج دهه فراموش شدند و از میدانِ پیشرفت های الکترونیک بر کنار ماندند. در آغازِ دههٔ ۷۰، بارِ دیگر نگاه ها به ماسفت ها افتاد و برای ساختنِ مدارهای مجتمع به کار گرفته شدند.
در مدارهای الکترونیکی، ترانزیستور اثر میدان ( FET ) را با سه پایه به نام های گِیت ( Gate ) ، دِرِین ( Drain ) ، و سورس ( Source ) در نظر می گیرند. در این ترانزیستور، گیت ( پایهٔ کنترلی ) ، جریانی نمی کشد، و چنان که از نام ترانزیستور پیداست، تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان الکتریکی درون نیم رسانا، جریان عبوری از FET کنترل می شود. از همین روی، وقتی گیت به عنوان ورودی این ترانزیستور در نظر گرفته می شود، هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات قبلی خود در مدار نمی گذارد و ترانزیستور در این حالت امپدانس ورودی بسیار بالایی دارد. عمده تفاوت ماسفت با ترانزیستور JFET در این است که گیت ترانزیستورهای ماسفت توسط لایه ای از اکسید سیلیسیم ( SiO2 ) از کانال مجزا شده است. به این دلیل به ماسفت ها، فِت با گیت مجزا ( به انگلیسی: IGFET, Insulated Gate FET ) نیز گفته می شود. [ ۱]
مدارهای مجتمع بر پایهٔ فناوری ماسفت را می توان بسیار ریزتر و ساده تر از مدارهای مجتمع بر پایهٔ ترانزیستورهای دوقطبی ساخت، بی آن که ( حتی در مدارها و تابع های پیچیده و مقیاس های بزرگ ) نیازی به مقاومت، دیود یا دیگر قطعه های الکترونیکی داشته باشند. [ ۲] همین ویژگی، تولیدِ انبوهِ آن ها را آسان می کند، چندان که هم اکنون بیش از ۸۵ درصدِ مدارهای مجتمع، بر پایهٔ فناوریِ MOS طراحی و ساخته می شوند.
ترانزیستورهای MOS، بسته به کانالی که در آن ها شکل می گیرد، کانال N یا کانال P نامیده می شوند. در آغازِ کار، کانال P ترانزیستورِ پرکاربردتر در فناوری MOS بود. اما از آن جا که ساختنِ کانال N آسان تر است و مساحتِ کم تری هم می گیرد، از کانال P پیشی گرفت. بر خلافِ ترانزیستورهای دوقطبی، در ترانزیستورهای ماسفت، جریان، نتیجهٔ شارشِ تنها یک حامل ( الکترون یا حفره ) در میانِ پیوندها است و از این رو، این ترانزیستورها را تک قطبی هم می نامند.
wiki: ماسفت