طرح نگاری فرابنفش فرین[ نیازمند منبع] یا لیتوگرافی فرابنفش فرین ( به انگلیسی: Extreme Ultraviolet Lithography ) ( اختصاری EUVL ) یکی از روش های تصویرگیری پرتوافکنی است ( شکل ۱ و ۲ ) که از پرتوای با طول موج بین ۱۳٫۴ تا ۱۳٫۵ نانومتر استفاده می کند. اصول اولیه کارکرد ئی یووی ال شبیه به روش طرح نگاری نوری است، با یک سامانه و ماسک که موج را تابانده و متمرکز می کند. طرح نگاری پرتوافکنی نوری بیش از ۲۰ سال از اصلی ترین راه های تولید قطعات نیمه هادی بوده است. از مدت ها قبل پیش بینی شده بود که طرح نگاری پرتوافکنی نوری، ظرفیت تولید قطعات با هزینه اقتصادی مناسب و اندازه ویژگی ( Feature size ) کم همراه با تولید کنترل شده مدارهای مجتمع را دارد. پیچیدگی طرح نگاری نوری، به طور خاص مربوط به ساخت ماسک می شود. نقشه بین المللی فناوری برای نیم رساناها ( ITRS/International Technology Roadmap for Semiconductors ) پیش بینی می کند که احتمالا یک نمونه طرح نگاری برای ساخت الگویی با نیم گام 45 نانومتر نیاز است. شکل ۳ نمایشی از نیم گام پیش بینی شده با زمان برای چهار مدل از ITRS. هرکدام از این مدل های ITRS یک شتاب کاهشی در نیم گام را پیش بینی کرده اند. نامزد پیشرو و موفق در طرح نگاری پرتوافکنی نوری، طرح نگاری فرابنفش فرین و طرح نگاری پرتوافکنی الکترونی ( به انگلیسی: Electron Projection Lithography ) ( اختصاری EPL ) هستند.
تقریبا تمام فناوری ها از یکی از سه ذره انرژی دار، شامل پروتون، الکترون و یون جهت پرتوافکنی به ماده مقاوم به پرتو استفاده می کنند. تنها استثناء nanoimprint است، که از یک الگوی مادر برای برجسته کردن ماده مقاوم با استفاده از دما و فشار بدون هیچ گونه پرتوافکنی استفاده می کند. بعضی از فناوری ها از یک ماسک برای در معرض قرار گرفتن قسمتی از یک الگو یا تمام الگو در یک گام پرتوافکنی استفاده می کنند.
همان طور که اشاره شد در طرح نگاری پرتوافکنی از ماسک و از ماده مقاوم به پرتو استفاده می شود، که ماده مقاوم به پرتو ماده ای پلیمری است و در مقابل پرتو تابیده شده به دو صورت از خود رفتار نشان می دهد. یا ماده پلیمری در اثر پرتونگاری شبکه آن تقویت می شود که در این حالت ماده مقاوم را منفی ( Negative ) می نامیم؛ و اگر ماده پلیمری پس از تابش پرتو شبکه آن استحکام خود را از دست بدهد در این حالت ماده مقاوم به پرتو را مثبت ( Positive ) می نامیم ( شکل ۴ (
این نوشته برگرفته از سایت ویکی پدیا می باشد، اگر نادرست یا توهین آمیز است، لطفا گزارش دهید: گزارش تخلفتقریبا تمام فناوری ها از یکی از سه ذره انرژی دار، شامل پروتون، الکترون و یون جهت پرتوافکنی به ماده مقاوم به پرتو استفاده می کنند. تنها استثناء nanoimprint است، که از یک الگوی مادر برای برجسته کردن ماده مقاوم با استفاده از دما و فشار بدون هیچ گونه پرتوافکنی استفاده می کند. بعضی از فناوری ها از یک ماسک برای در معرض قرار گرفتن قسمتی از یک الگو یا تمام الگو در یک گام پرتوافکنی استفاده می کنند.
همان طور که اشاره شد در طرح نگاری پرتوافکنی از ماسک و از ماده مقاوم به پرتو استفاده می شود، که ماده مقاوم به پرتو ماده ای پلیمری است و در مقابل پرتو تابیده شده به دو صورت از خود رفتار نشان می دهد. یا ماده پلیمری در اثر پرتونگاری شبکه آن تقویت می شود که در این حالت ماده مقاوم را منفی ( Negative ) می نامیم؛ و اگر ماده پلیمری پس از تابش پرتو شبکه آن استحکام خود را از دست بدهد در این حالت ماده مقاوم به پرتو را مثبت ( Positive ) می نامیم ( شکل ۴ (
wiki: لیتوگرافی فرابنفش فرین