در مدارهای الکتریکی، ظرفیت خازنی پارازیتی[ پانویس ۱] یا ظرفیت خازنی سرگردان، [ پانویس ۲] گونه ای از ظرفیت خازنی اجتناب ناپذیر و معمولاً ناخواسته است که بین قطعات الکترونیکی تنها به دلیل نزدیکی آن ها به یکدیگر وجود دارد. هنگامی که دو رسانای الکتریکی در ولتاژهای مختلف در نزدیکی یکدیگر قرار می گیرند، میدان الکتریکی به وجود آمده، باعث ذخیره شدن بار الکتریکی در آن خازن های ناخواسته شکل گرفته می شود. تمامی قطعات الکترونیکی مانند ترانزیستور و دیود، همگی داری این ویژگی ناخواسته هستند و این باعث رفتار غیر ایده آل در آن ها می شود. به طور کلی همیشه یک اختلاف ظرفیتی غیر صفر بین هر دو رسانای الکتریکی وجود دارد. این اثر در مدارهایی با فرکانس کاری پایین معمولاً قابل چشم پوشی است. [ ۱] این پدیده در ترانزیستورها در کنار اثر مقاومتی مدار، موجب محدود شدن سقف سرعت عملکرد آن ها می شود. [ ۲]
زمانی که دو رسانا که دارای ولتاژهای مختلف باشند در نزدیکی یک دیگر قرار بگیرند تحت تأثیر میدان الکتریکی یک دیگر قرار می گیرند؛ این رخداد موجب جمع شدن بارهای الکتریکی مخالف در رسانا می شود. برای مثال یک القاگر واقعی دارای یک ظرفیت خازنی به صورت موازی است که به دلیل نزدیک بودن به سیم پیج درون القاگر به وجود می آید. سیم پیچ مانند صفحات خازن عمل می کند و زمانی که جریان الکتریکی در آن جریان می یابد بارهای مخالف در سیم پیج جمع شده و ظرفیت خازنی به وجود می آید.
وجوداین پدیده در سیستم هایی با فرکانس پایین قابل چشم پوشی است ولی در سیستم هایی که با فرکانس بالا کار می کنند باعث به وجود آمدن مشکلات زیادی می شود.
سیم پیچ ها برای فرکانس های بالا را اغلب به صورت سبدپیج سیم پیچی می کنند تا از ظرفیت خازنی پارازیتی آن بکاهند.
ظرفیت خازنی اخلال گر بین الکترودهای ورودی و خروجی در قطعات تقویت کنندهٔ معکوس کننده، همانند آنچه بین بیس و کلکتور در ترانزیستورهای دوقطبی به وجود می آید، به شکل ویژه ای مشکل زاست چراکه در اینگونه قطعات، این اثر در بهرهٔ قطعه ضرب می شود. از این اثر که در سال ۱۹۲۰ میلادی برای اولین بار توسط جان میلتون میلر در لوله های خلأ مشاهده شد، با عنوان اثر میلر[ پانویس ۳] یاد می شود. این اثر در فرکانس بالا از عوامل اصلی کاهش سرعت قطعات فعال نظیر ترانزیستورها و لامپ های خلأ است. در تصویر چگونگی به وقوع پیوستن اثر میلر نمایش داده شده است. با فرض اینکه تقویت کننده ای معکوس کننده و ایده آل با بهرهٔ A در شکل نمایش داده شده، و اینکه Z = C ظرفیت خازنی بین ورودی و خروجی آن باشد، ولتاژ خروجی این تقویت کننده به شکل v o = − A v i و جریان وارد شده به ترمینال ورودی آن از این قرار خواهد بود:
این نوشته برگرفته از سایت ویکی پدیا می باشد، اگر نادرست یا توهین آمیز است، لطفا گزارش دهید: گزارش تخلفزمانی که دو رسانا که دارای ولتاژهای مختلف باشند در نزدیکی یک دیگر قرار بگیرند تحت تأثیر میدان الکتریکی یک دیگر قرار می گیرند؛ این رخداد موجب جمع شدن بارهای الکتریکی مخالف در رسانا می شود. برای مثال یک القاگر واقعی دارای یک ظرفیت خازنی به صورت موازی است که به دلیل نزدیک بودن به سیم پیج درون القاگر به وجود می آید. سیم پیچ مانند صفحات خازن عمل می کند و زمانی که جریان الکتریکی در آن جریان می یابد بارهای مخالف در سیم پیج جمع شده و ظرفیت خازنی به وجود می آید.
وجوداین پدیده در سیستم هایی با فرکانس پایین قابل چشم پوشی است ولی در سیستم هایی که با فرکانس بالا کار می کنند باعث به وجود آمدن مشکلات زیادی می شود.
سیم پیچ ها برای فرکانس های بالا را اغلب به صورت سبدپیج سیم پیچی می کنند تا از ظرفیت خازنی پارازیتی آن بکاهند.
ظرفیت خازنی اخلال گر بین الکترودهای ورودی و خروجی در قطعات تقویت کنندهٔ معکوس کننده، همانند آنچه بین بیس و کلکتور در ترانزیستورهای دوقطبی به وجود می آید، به شکل ویژه ای مشکل زاست چراکه در اینگونه قطعات، این اثر در بهرهٔ قطعه ضرب می شود. از این اثر که در سال ۱۹۲۰ میلادی برای اولین بار توسط جان میلتون میلر در لوله های خلأ مشاهده شد، با عنوان اثر میلر[ پانویس ۳] یاد می شود. این اثر در فرکانس بالا از عوامل اصلی کاهش سرعت قطعات فعال نظیر ترانزیستورها و لامپ های خلأ است. در تصویر چگونگی به وقوع پیوستن اثر میلر نمایش داده شده است. با فرض اینکه تقویت کننده ای معکوس کننده و ایده آل با بهرهٔ A در شکل نمایش داده شده، و اینکه Z = C ظرفیت خازنی بین ورودی و خروجی آن باشد، ولتاژ خروجی این تقویت کننده به شکل v o = − A v i و جریان وارد شده به ترمینال ورودی آن از این قرار خواهد بود:
wiki: ظرفیت خازنی پارازیتی