ریزماشین کاری سطحی ( به انگلیسی: Surface micromachining ) یکی از فرایندهای ساخت ریزساختارها از جمله MEMS است. در فرایند ریزماشین کاری سطحی با نشاندن و زدایش لایه های مختلف بر روی زیرلایه، ریزساختارها را می سازند. به صورتی که به جای اینکه زیرلایه سیلیکون را زدایش کنیم، با لایه نشینی های مختلف و زدایش آنها به صورت انتخابی میکروساختار ساخته می شود. به همین دلیل خواص زیرلایه چندان اهمیت ندارد و حتی می توان از زیرلایه های ارزان قیمتی همچون شیشه و پلاستیک نیز استفاده کرد. استفاده از پالی سیلیکون به عنوان ماده ساختاری در ریزماشین کاری سطحی بسیار مرسوم است. در ریزماشین کاری سطحی با استفاده از لایه قربانی ریزساختارهای معلق را می سازند. همچنین در این روش ریزماشین کاری می توان قطعات ریزتری را ایجاد کرد. ریزماشین کاری سطحی از دهه هشتاد معرفی گردید و در حسگرهای شتاب و فشار مورد استفاده قرار گرفت. امروزه با توجه به رشد روش های لایه شناسی و شناخت بهتر خواص مواد ریزماشین کاری سطحی پیشرفت فراوانی کرده و به عنوان یک روش متداول آزمایشگاهی و صنعتی در تولید ساختارهای MEMS تبدیل شده است. [ ۱] [ ۲]
به طور کلی، سیلیکن به عنوان بستر زیرین و سیلیکن دی اکسید به عنوان لایه قربانی ( لایه ای که تنها به عنوان پایه برای لایه های دیگر استفاده می شود و در ادامه فرایند حذف می شود ) به کار می رود. با از بین رفتن لایه ها قربانی معمولا فضاهای خالی ای به وجود می آید که به هدف مشخصی طراحی شده اند. مهمترین برتری این روش، امکان ایجاد اجزای الکترونیکی و مکانیکی بر روی یک بستر مشترک است. اجزای ساخته شده در این روش نسبت به همتاهای خود در روش ریزماشین کاری حجمی کوچکتر هستند.
در این روش به دلیل اینکه اجزا در روی لایه های زیرین و بستر اصلی ساخته می شوند، اهمیت ویژگی های بستر زیر لایه اهمیت کمتری پیدا می کند. این باعث می شود تا به جای استفاده از ویفر سیلیکن گران قیمت از شیشه یا پلاستیک استفاده کرد. از این تکنولوژی می توان برای تولید سلول خورشیدی فیلم نازک استفاده کرد.
ساخت ماشین ها در ابعاد میکرو با ویفر سیلیکن یا بسترهای دیگری آغاز می شود که می توان اجزای میکروماشین را روی آن ها ساخت. این لایه ها توسط فرایند فوتولیتوگرافی، اچینگ مرطوب یا اچینگ خشک به طور گزینشی می توانند برش داده شده و اچ شوند ( اچینگ به هرگونه فرایندی می گویند که در آن قسمتی از یک ماده برش داده شده و از آن جدا می شود ) . اچینگ خشک می تواند ترکیبی از روش های فیزیکی و شیمیایی باشد و یا با بمباران سطح توسط یون ها سطح را اچ کند. امروزه ساخت مدارات الکتریکی با استفاده از این روش می تواند اجزایی با بیش از 100 لایه مختلف تولید کند.
این نوشته برگرفته از سایت ویکی پدیا می باشد، اگر نادرست یا توهین آمیز است، لطفا گزارش دهید: گزارش تخلفبه طور کلی، سیلیکن به عنوان بستر زیرین و سیلیکن دی اکسید به عنوان لایه قربانی ( لایه ای که تنها به عنوان پایه برای لایه های دیگر استفاده می شود و در ادامه فرایند حذف می شود ) به کار می رود. با از بین رفتن لایه ها قربانی معمولا فضاهای خالی ای به وجود می آید که به هدف مشخصی طراحی شده اند. مهمترین برتری این روش، امکان ایجاد اجزای الکترونیکی و مکانیکی بر روی یک بستر مشترک است. اجزای ساخته شده در این روش نسبت به همتاهای خود در روش ریزماشین کاری حجمی کوچکتر هستند.
در این روش به دلیل اینکه اجزا در روی لایه های زیرین و بستر اصلی ساخته می شوند، اهمیت ویژگی های بستر زیر لایه اهمیت کمتری پیدا می کند. این باعث می شود تا به جای استفاده از ویفر سیلیکن گران قیمت از شیشه یا پلاستیک استفاده کرد. از این تکنولوژی می توان برای تولید سلول خورشیدی فیلم نازک استفاده کرد.
ساخت ماشین ها در ابعاد میکرو با ویفر سیلیکن یا بسترهای دیگری آغاز می شود که می توان اجزای میکروماشین را روی آن ها ساخت. این لایه ها توسط فرایند فوتولیتوگرافی، اچینگ مرطوب یا اچینگ خشک به طور گزینشی می توانند برش داده شده و اچ شوند ( اچینگ به هرگونه فرایندی می گویند که در آن قسمتی از یک ماده برش داده شده و از آن جدا می شود ) . اچینگ خشک می تواند ترکیبی از روش های فیزیکی و شیمیایی باشد و یا با بمباران سطح توسط یون ها سطح را اچ کند. امروزه ساخت مدارات الکتریکی با استفاده از این روش می تواند اجزایی با بیش از 100 لایه مختلف تولید کند.
wiki: ریزماشین کاری سطحی