رشد اپیتاکسی

واژه اپیتاکسی از دو بخش یونانی اپی به معنی بر روی و تاکسی به معنی چیدمان منظم تشکیل شده است. این روش با روش های معمول لایه نشانی که در آن لایه ها ممکن است آمورف یا چندبلور باشند، تفاوت دارد و کاربردهای مهمی در فناوری نیمه هادی و ساخت دستگاه های الکترونیکی دارد.
دو نوع اصلی رشد اپیتاکسی وجود دارد:
- **هومواپیتاکسی ( Homoepitaxy ) **: رشد لایه ای از همان ماده روی زیرلایه ای از همان ماده که ساختار شبکه ای یکسان دارند.
- **هترواپیتاکسی ( Heteroepitaxy ) **: رشد لایه ای از ماده ای متفاوت روی زیرلایه ای که ساختار شبکه ای متفاوت دارد.
روش های متداول رشد اپیتاکسی شامل:
- اپیتاکسی پرتو مولکولی ( MBE ) : رشد لایه نازک در شرایط خلأ بسیار بالا با کنترل دقیق ضخامت لایه.
- اپیتاکسی فاز بخار شیمیایی ( CVD ) : رشد لایه با واکنش های شیمیایی در فاز بخار.
- اپیتاکسی فاز مایع ( LPE ) : رشد لایه از فاز مایع.
رشد اپیتاکسی معمولاً روی سطوح صاف انجام می شود، اما تحقیقات برای رشد روی ساختارهای غیرصفحه ای ( مانند لبه ها و کانال ها ) نیز در جریان است که برای تولید دستگاه های نوری و الکترونیکی پیچیده اهمیت دارد.
به طور خلاصه، رشد اپیتاکسی روشی برای ایجاد لایه های نازک تک بلور با ساختار منظم و هماهنگ روی زیرلایه های تک بلور است که نقش مهمی در فناوری های پیشرفته نیمه هادی و الکترونیک دارد.