حافظه دسترسی تصادفی

حافظه دسترسی تصادفی ( به انگلیسی: Random - access memory ) یا رَم ( به انگلیسی: RAM ) گونه ای حافظه رایانه به صورت کوتاه مدت برای ذخیره سازی موقت داده و کد ماشین است. یک رم به داده های ذخیره شده اجازه می دهد تا مستقیماً در هر مرحله تصادفی در دسترس باشند در مقابل حافظه های ثانویه مثل هارد دیسک ها، سی دی ها، دی وی دی ها و نوارهای مغناطیسی و نیز انواع حافظه های ابتدایی مانند حافظه درام اطلاعات را به خاطر محدودیت طراحی مکانیکی به طور متوالی در مراحل ازپیش تعیین شده می خواند و ثبت می کند بنابراین زمان دسترسی به داده ها به مکان آن بستگی دارد. امروزه رم شکل کامل مدار گرفته است انواع جدید DRAM ها حافظه دسترسی تصادفی نیستند به طوری که داده ها پشت سر هم خوانده می شوند هر چند اسم شبیه هم دارند. اگرچه خیلی از انواع SRAM, ROM, OTP, NOR FLASH حتی در دریافت های سخت هنوز حافظه دسترسی تصادفی هستند. رم به طور معمول به انواع حافظه های فرار مثل DRAMها وابسته است که در این حافظه ها اطلاعات ذخیره می شود و با خاموش شدن، اطلاعات از بین می رود.
RAM یکی از کلیدی ترین قطعات کامپیوتر و نوعی از حافظه برای ذخیره سازی داده هاست. این گونه حافظه ها در واقع داده های مربوط به نرم افزارها و سیستم عامل را به طور موقت در خود نگهداری می کند تا در صورت نیازCPU ( واحد پردازش مرکزی ) بتواند به سرعت به این اطلاعات دسترسی پیدا کند.
انواع دیگر حافظه های غیر فرار مثل اکثر رام ها ( ROM ) و یک نوع فلش مموری به نام NOR FLASH است. RAM یک حافظه موقت عالی برای ذخیره سازی داده ها است که برای برنامه هایی که نیاز به دسترسی سریع و مداوم به داده ها دارند، به کار گرفته می شود. برای مثال اگر از یک واژه پرداز برای نوشتن یک متن استفاده کنید، در حالی که مشغول ویرایش هستید، اطلاعات و داده های آن روی رم ذخیره می شود تا در حین ویرایش، بتوانید به شکل زنده همه تغییرات اعمال شده را در آن واحد ببینید.
رابرت دنارد اولین حافظه تصادفی دردسترس را در سال ۱۹۶۸ بر روی Intel ۱۱۰۳ اختراع نمود. رایانه های اولیه از دستگاه تقویت نیروی برق یا خطوط تاخیری برای عملکرد اصلی حافظه استفاده می کردند. در سامانه های هانی ول و داس . حافظه درام می تواند به کم هزینه بسط داده شود ولی بازیابی از آیتم های مورد نیاز غیر متوالی از درام به منظور بهینه سازی سرعت است. چفت لوله لامپ سه قطبی از خلأ ساخته شده است و بعد از آن از ترانزیستورهای گسسته برای حافظه های کوچکتر و سریعتر مثل دسترسی تصادفی ثبت نام بانک ها و ثبت آمارها مورد استفاده قرار گرفت. چنین ثبت آمارها نسبتاً بزرگی برای تعداد زیادی داده بسیار پرهزینه است در کل فقط چند صد یا چند هزار بیت چنین حافظه هایی ارائه شده است. اولین رم ( Ram ) که به طور عملی مورد استفاده قرار گرفت Williams tube بود که در سال ۱۹۴۷ ساخته و بهره برداری شد. داده ها را به عنوان نقاط شارژ الکتریکی بر روی لوله پرتو کاتدی ذخیره می کرد از انجا که پرتو الکترونی لوله پرتو کاتدی می توانند در هر مرحله نقاط شارژ الکترونی را بخوانند و ثبت کنند حافظه دسترسی تصادفی است. ظرفیت Williams tube چند صد تا حدود چند هزار بیت بود ولی بسیار کوچکتر سریعتر و کارامد تر از لامپ سه قطبی بود. حافظه هسته مغناطیسی در سال ۱۹۴۷ اختراع شد و تا دهه ۱۹۷۰ توسعه یافت و نمونه گسترده حافظه دسترسی تصادفی شد که وابسته به مجموعه حلقه های مغناطیسی است؛ با تغییر نیروی مغناطیسی هر حلقه می توانند در هر حلقه یک بیت داده ذخیره شود. هر حلقه مجموعه ای از سیم آدرس ها را دارد که می توان آن ها را انتخاب کرد خواند یا ثبت کرد و دسترسی به هر قسمت حافظه امکان پذیر است. حافظه هسته مغناطیسی تا زمانی که با حافظه حالت جامد در مدارات مجتمع ( در اوایل دهه ۱۹۷۰ ) جایگزین شد استاندارد بود. Robert H. Dennard حافظه دسترسی تصادفی پویا ( DRAM ) را در سال ۱۹۶۸ اختراع کرد که یک ترانزیستور را جایگزین مجموعه ۴یا۶ ترانزیستوری برای هر بیت کرد و تا حد زیادی باعث افزایش چگالی حافظه در ازای نوسانات شد. اطلاعات در خازن کوچک هر ترانزیستور ذخیره می شدند و باید هر چند میلی ثانیه قبل از اینکه شارژ خالی کنند به روز می شدند. میلیاردها ترانزیستور روی ماژول رم ( Ram ) قرار دارد؛ اما این قطعه، تنها چند وات برق مصرف می کند که خود دستاورد الکترونیکی جذابی محسوب می شود.