ترازیستور تحریک الکترونی بالا ( به انگلیسی: High - electron - mobility transistor یا به اختصار HEMT ) نوعی از ترانزیستور اثر میدانی است که از پیوند بین دو نیم رسانای متفاوت با گاف انرژی متفاوت بهره می برد. دو نیم رسانایی که اغلب در این ترانزیستورها به کار می روند گالیم آرسنید ( GaAs ) و آلومینیوم گالیوم آرسنید ( AlGaAs ) هستند. این مواد به علت تحرک الکترونی بالا امکان استفاده از این نوع از ترانزیستورها را در سرعت ها و فرکانس های بالا فراهم می کنند.
از این نوع ترانزیستور در تقویت کننده های با نویز کم، تلسکوپ های رادیویی و نجومی و تقویت کننده های مایکروویو استفاده می شود.
این نوشته برگرفته از سایت ویکی پدیا می باشد، اگر نادرست یا توهین آمیز است، لطفا گزارش دهید: گزارش تخلفاز این نوع ترانزیستور در تقویت کننده های با نویز کم، تلسکوپ های رادیویی و نجومی و تقویت کننده های مایکروویو استفاده می شود.
