برآرایی. برآرایی یا رونشانی یا رشد همبافته یا اپیتکسی ( به انگلیسی: Epitaxy ) روشی برای پوشش لایه ای تک بلور روی زیرلایه ای تک بلور است. به لایه پوششی لایه برآرایی گفته می شود. واژه اپیتکسی ریشه یونانی دارد و از دو بخش اپی یعنی بر رویِ و تکسی یعنی در حالت منظم شکل گرفته است.
این روش با لایه نشانی معمولی لایه نازک ( پا توپوتکسی ) که در آن لایه ای از مواد آمورف یا چندبلور رشد داده می شوند تفاوت دارد. لایه برآرایی را می توان از فاز مایع یا گاز درست کرد و ساختار نهایی آن با زیر لایه یکی خواهد بود زیرا زیرلایه نقش بذر بلور را دارد.
اگر ترکیب لایه برآرایی با زیرلایه یکسان باشد، به آن برآرایی همگن ( به انگلیسی: homoepitaxy ) گفته می شود. از این روش برای دستیابی به ساختاری از یک ماده چند لایه که لایه هایش دارای دوپینگ های مختلفی هستند ( هر لایه دارای غلظت مشخصی از یک ناخالصی ست ) بکار می رود، مانند ساخت گونه هایی از نیم رساناها.
اگر ترکیب لایه برآرایی با زیرلایه یکسان نباشد، به آن برآرایی ناهمگن ( به انگلیسی: heteroepitaxy ) گفته می شود. ازین روش برای دستیابی به ساختاری چندلایه که هر لایه از تک بلور ماده ای ویژه است، بکار می رود. برای نمونه می توان از نیترید گالیوم روی پاقوت کبود، یا AlGaInP ( فسفید آلومینیوم - گالیوم - ایندیوم ) روی گالیم آرسنید نام برد.
برآرایی در ساخت موادی که پایه ساختشان سیلیسیوم اند مانند ترانزیستور دوقطبی پیوندی و سیماس، و همچنین در ساخت نیم رساناهای ترکیبی مانند آرسنید گالیوم کاربرد دارد.
برارایی، فرایند رشد بلوری از جهتی خاص بر روی یک کریستال دیگر در جایی که جهت گیری توسط کریستال زیرین تعیین می شود، است. ایجاد لایه های مختلف در ویفرهای نیمه هادی، مانند لایه هایی که در مدارهای مجتمع استفاده می شود، یک کاربرد معمول برای این فرایند است. . اتمهای موجود در یک لایه اپیتاکسیال نسبت به کریستال زیرین دارای یک مکان خاص هستند. این فرایند منجر به تشکیل لایه های نازک کریستالی می شود که ممکن است از ترکیب شیمیایی یا ساختار شیمیایی یکسان یا متفاوت با بستر باشند و ممکن است فقط از یک یا از طریق رسوبات مکرر، بسیاری از لایه های مشخص تشکیل شده باشد. در هوموپیتاکسی لایه های رشد از همان ماده بستر تشکیل شده اند، در حالی که در برآرایی ناهمگن لایه های رشد از ماده ای متفاوت از بستر هستند. [ ۱]
این نوشته برگرفته از سایت ویکی پدیا می باشد، اگر نادرست یا توهین آمیز است، لطفا گزارش دهید: گزارش تخلفاین روش با لایه نشانی معمولی لایه نازک ( پا توپوتکسی ) که در آن لایه ای از مواد آمورف یا چندبلور رشد داده می شوند تفاوت دارد. لایه برآرایی را می توان از فاز مایع یا گاز درست کرد و ساختار نهایی آن با زیر لایه یکی خواهد بود زیرا زیرلایه نقش بذر بلور را دارد.
اگر ترکیب لایه برآرایی با زیرلایه یکسان باشد، به آن برآرایی همگن ( به انگلیسی: homoepitaxy ) گفته می شود. از این روش برای دستیابی به ساختاری از یک ماده چند لایه که لایه هایش دارای دوپینگ های مختلفی هستند ( هر لایه دارای غلظت مشخصی از یک ناخالصی ست ) بکار می رود، مانند ساخت گونه هایی از نیم رساناها.
اگر ترکیب لایه برآرایی با زیرلایه یکسان نباشد، به آن برآرایی ناهمگن ( به انگلیسی: heteroepitaxy ) گفته می شود. ازین روش برای دستیابی به ساختاری چندلایه که هر لایه از تک بلور ماده ای ویژه است، بکار می رود. برای نمونه می توان از نیترید گالیوم روی پاقوت کبود، یا AlGaInP ( فسفید آلومینیوم - گالیوم - ایندیوم ) روی گالیم آرسنید نام برد.
برآرایی در ساخت موادی که پایه ساختشان سیلیسیوم اند مانند ترانزیستور دوقطبی پیوندی و سیماس، و همچنین در ساخت نیم رساناهای ترکیبی مانند آرسنید گالیوم کاربرد دارد.
برارایی، فرایند رشد بلوری از جهتی خاص بر روی یک کریستال دیگر در جایی که جهت گیری توسط کریستال زیرین تعیین می شود، است. ایجاد لایه های مختلف در ویفرهای نیمه هادی، مانند لایه هایی که در مدارهای مجتمع استفاده می شود، یک کاربرد معمول برای این فرایند است. . اتمهای موجود در یک لایه اپیتاکسیال نسبت به کریستال زیرین دارای یک مکان خاص هستند. این فرایند منجر به تشکیل لایه های نازک کریستالی می شود که ممکن است از ترکیب شیمیایی یا ساختار شیمیایی یکسان یا متفاوت با بستر باشند و ممکن است فقط از یک یا از طریق رسوبات مکرر، بسیاری از لایه های مشخص تشکیل شده باشد. در هوموپیتاکسی لایه های رشد از همان ماده بستر تشکیل شده اند، در حالی که در برآرایی ناهمگن لایه های رشد از ماده ای متفاوت از بستر هستند. [ ۱]
wiki: برآرایی