طیف سنجی جرمی یون ثانویه

طیف سنجی جرم یون ثانویه (به انگلیسی: Secondary ion mass spectrometry) یا سیمس (به انگلیسی: SIMS) یک تکنیک مورد استفاده در علم مواد و علم بررسی مواد حالت جامد می باشد. سیمس، تکنیک تجزیه و تحلیل ترکیب سطوح جامد و لایه های نازک، توسط کندوپاش سطح نمونه با پرتو یون متمرکز اولیه و جمع آوری و تجزیه و تحلیل یونهای خارج ثانویه است. این یون ثانویه همراه با طیف سنج جرمی اندازه گیری می شود و برای تعیین ترکیب عنصری، ایزوتوپی یا مولکولی سطح کاربرد دارد. سیمس حساس ترین تکنیک تجزیه و تحلیل سطح است که قادر به تشخیص عناصر موجود در محدوده یک در میلیارد می باشد.
نمونه ای که مورد بررسی و اندازه گیری است با یونهای اولیه که به صورت اتمی، مولکولی یا خوشه ای هستند، با انرژی ای بین ۲۰۰ الکترون ولت تا ۲۵ هزار الکترون ولت بمباران می شود. بدین وسیله ذراتی به صورت خنثی، یون مثبت یا یون منفی پدید می آیند. بیش از ۹۰ درصر این ذرات را ذرات خنثی تشکیل می دهند که قابل استفاده برای تجزیه و تحلیل نیستند و به همین دلیل باید از ذرات باردار جدا شوند. این ذرات باردار توسط جرم آنالیزر یا همان فیلتر جرمی جدا می شوند.
یونها پس از جدا شدن از ذرات خنثی و گذشتن از طیف سنجی جرمی، به یک آشکارساز یا گروهای از دتکتورها می رسند. از شدت سیگنال به عنوان یک ابزار برای اندازه گیری درصد ترکیب استفاده می شود.