tem

کلمات اختصاری

عبارت کامل: Transmission Electron Microscopy
موضوع: علمی
میکروسکوپ الکترونی عبوری یا TEM نوعی میکروسکوپ الکترونی است که قابلیت عکس برداری از ریزساختار مواد با بزرگنمایی ۱٬۰۰۰ تا ۱٬۰۰۰٬۰۰۰ برابر با قدرت تفکیکی در حد کوچک تر از ۱ نانومتر را دارد. میکروسکوپ الکترونی عبوری همچنین توانایی آنالیز عنصری، تعیین ساختار و جهت کریستالی اجزایی به کوچکی ۳۰ نانومتر را به صورت کیفی و کمی دارد.

تخصصی

[برق و الکترونیک] transmission electrol microscope-میکروسکوپ ارسال الکترونی میکروسکوپی که در آن به جای نور مرئی در میکروسکوپ معمولی از باریکه های الکترونی استفاده می شود . باریکه های الکترونی با پیچکهای الکترومغناطیسی ساخته می شوند که عملکردی مانند عملکرد عدسیهای شیشه ای روی نور دارند . فیلمانی منبع باریکه الکترونی ولتاژ بالا است که داخل مجموعه ای از عدسیهای همگرا کننده و سپس از داخل نمونه می گذرد.الکترونها ابتدا پراکنده می شوند و سپس به وسیله مجموعه ای از عدسیهای مغناطیسی کانونی می شوند تا تصویری را روی صفحه نمایش فلوئورسانس به وجود آورند .این صفحه نمایش را می توان از طریق چشمی مشاهده کرد . کاربرد اصلی TEM در پزشکی و ژنتیک است .

پیشنهاد کاربران

T. E. M
In Transmission Electron Microscopy ( TEM ) a thin solid specimen ( 5 200 nm thick ) is bombarded in vacuumwith a highly - focused, monoenergeticbeam of elec - trons. The beam is of sufficientenergyto propagate through the specimen. Aseries of electromagneticlensesthen magnifies this transmitted electron signal. Diffracted electrons are observed in the form of a diffraction pattern beneath the specimen. This information is used to determine the atomic structure of the material in the sample. Transmitted electrons form imagesfrom small regions of samplethat con - tain contrast, due to several scattering mechanisms associated with interactions between electronsand the atomic constituents of the sample. Analysis of transmit - ted electron images yields information both about atomic structure and about defectspresent in the material.
...
[مشاهده متن کامل]

Range of elements
Destructive
Chemicalbonding information
Quantification
Accuracy
Detection limits Depth resolution
Lateral resolution Imaging/mapping
TEM does not specificallyidentifyelements measured
Yes, during specimen preparation
Sometimes, indirectlyfrom diffractionand image simulation
Yes, atomic structures by diffraction; defect character - ization by systematicimage analysis
Lattice parameters to four significant figures using convergentbeam diffraction
One monolayer for relativelyhigh - Zmaterials
None, except there are techniques that measure sample thickness
Better than 0. 2 nm on some instruments Yes
Samplerequirements Solid conductors and coated insulators. Typically 3 - mm diameter, c 200 - nm thick in the center
Main uses Atomic structure and Microstructural analysisof solid materials, providing high lateral resolution
Instrument cost $300, 000 - $1, 500, 000 Size 100 fL2 to a major lab
. . .
@1939
Ruska @1986

temtem
TEM = Transmission Electron Microscopy
میکروسکوپ الکترونی گذاره
SEM = Scanning Electron Microscopy
میکروسکوپ الکترونی نگاره