[برق و الکترونیک] ترانزیستور با ساختار ناهمگون و آلایش انتخابی ترانزیستور اثر میدان با ساختار ناهمگون و آلایش انتخاب . نام اختصاری آن در آزمایشگاهها AT&T و بل ابداع شده است .
