[برق و الکترونیک] pseudomorphic high-electron mobility transistor-ترانزیستور شبه بلوری با قابلیت تحریک الکترونی بالا ترانزیستور قدر RF گالیم -آرسنید ( GaAs) دارای لایه اپتیکسیال خاص رشد داده شده بر روی GaAs برای بهینه سازی قطعه در ولتاژهای پایین و بالا بردن بازده آن برای تلفنهای همراه و مودمهای RF .
