[برق و الکترونیک] ترانزیستور اثر میدان نیمرسانا ی اکسید - فلزی، ترانزیستور اثر میدان باکیت عایق شده ترانزیستور اثر میدان ولتاژ - رانشی با یک گیت فلزی عایق شده - اکسید یا جند بلوری . عملکرد ترانزیستور تک قطبی بر اساس حرکت یک حامل اکثریت ( الکترونها در نوع N حفره ها در نوع P ) است و مانند ترانزیستور دو قطبی هر دوحامل در آن حرکت نمی کنند . ولتاژکنترل کننده گیت MOSFET به جای آن که مانند JFET به دو سر پیوند PN اعمال شود . به ناحیه کانال متقاطع با لایه عایق اعمال می شود . گیت با دی اکسید سیلیسیم یا نیترید سیلیسیم عایق شده است . MOSFET می تواند P کانال یا N کانال باشد و در مد تخلیه ای یا مد افزایشی عمل کند . MOSFET ها شامل منطق دیجیتال CMOS ها یا BICMOSها نیز می شوند MOSFET به دلیل وجود عایق بین سورس و درین آن توان کمتری را درین مصرف می کند . فرایند ساخت آن ساده تر از JFET است . از سیلیسیم به طور اقتصادی استفاده می کند و اتصالهای داخلی آن در یک تراشه ساده تر است .
