[برق و الکترونیک] خازن نیمرسانای اکسید - فلزی _ خازن MOS خازن مدار مجتمع که ناحیه N آن به داخل زیر ساخت سلیسیمی نفوذ داده می شود تا الکترود پایینی را تشکیل دهد . ضخامت کنترل شده ای از اکسید سیلیسیم بر روی آن تشکیل می شود تا همانند دی الکتریک عمل کند . الکترود بالایی لایه ای فلزی است که همزمان به عنوان اتصال داخلی مدار چاپ نشانده می شود . بیشترینن مقادیر ظرفیت خازنی به چند صد پیکوفاراد محدود است .
