ترانزیستور اثر میدانی فلز - اکسید - نیمه هادی ( MOSFET ) نوعی ترانزیستور اثر میدانی ( FET ) است که معمولاً با اکسیداسیون کنترل شده سیلیکون ساخته می شود. در این ساختار، یک لایه نازک عایق ( معمولاً دی اکسید
... [مشاهده متن کامل]
... [مشاهده متن کامل]
سیلیکون ) بین گیت فلزی یا پلی سیلیکون و نیمه هادی زیرین قرار دارد که باعث می شود گیت از کانال نیمه هادی کاملاً عایق شود.