[برق و الکترونیک] ترانزیستور دو قطبی با پیوند ناهمگون [ اچ بی تی یا اچ جی بی تی] نوعی ترانزیستور دو قطبی که از لایه های گالیم آرسنید ( GaAs) و آلومینیم گالیم آرسنید ( AlGaAs) ساخته می شود.
