[برق و الکترونیک] high-electron mobility transistor-ترانزیستور با تحرک الکترونی بالا [ همت] نوعی ترانزیستور فت پیوندی با ساختار ناهمگون که در واقع گونه ای مسفت ( MESFET) است . این اصطلاح ابتدا توسط شرکت فوجیتسو ( FUJITSU) به کار رفته است.