[برق و الکترونیک] double-diffused metal-oxide semiconductor-نیمرسانای اکسید - فلز دو نفوذی [دی ماس] روشی برای ساخت نیمرساناهای اکسید-فلز که طی آن از طریق یک ماسک دو مرحله نفوذ ناخالصی صورت می گیرد.هر دو نوع ترانزیستور مد- افزایشی و مد- تخلیه ای را می توان با این روش ساخت . به دلیل کوتاه بودن زمانهای نفوذ ،طول کانال در حد لازم برای دیود ترانزیستورهای ریزموج و مدارهای منطقی سریع کوتاه می ماند .
