در ترانزیستورهای فت با القای میدان الکتریکی در زیر لایه کانال ایجاد می شود ،
همین کانال موجود در زیرلایه و فلز پایه گیت ( که فاصله میان آنها با عایق پرشده ) به منزله دو صفحه یک خازن فرضی عمل میکنند .
همین کانال موجود در زیرلایه و فلز پایه گیت ( که فاصله میان آنها با عایق پرشده ) به منزله دو صفحه یک خازن فرضی عمل میکنند .